第3章半导体光电检测器件与应用1-光敏电阻.ppt

第三章 半导体光电检测器件及应用;3.1 光敏电阻;3.1.1 光敏电阻的结构及其工作原理;返回;本征型和杂质型光敏电阻;光电导与光电流;光敏电阻 的结构和它的符号：;光敏电阻按光谱响应范围分类： 对紫外光敏感的光敏电阻； 对可见光敏感的光敏电阻； 对红外光敏感的光敏电阻 光敏电阻的应用领域： 照相机、光度计、光电自动控制、辐射测量、能量辐射、物体搜索和跟踪、红外成像和红外通信等技术方面制成的光辐射接收器件;3.1.2 光敏电阻特性参数;光电特性：光电流与入射光照度的关系 I光=SgEγUα 式中：Sg为光电导灵敏度；E为照度；γ为光照指数（0.5~1），U为电压； α为电压指数（欧姆接触为1）； ;光电导灵敏度: 光电导g与照度E之比. ;光电导增益 光电导增益反比于电极间距的平方。 ;伏安特性;图中虚线为允许功耗曲线 受耗散功率的限制，在使用时，光敏电阻两端的电压不能超过最高工作电压， 由此可确定光敏电阻正常工作电压。;光敏电阻的时间响应特性较差 材料受光照到稳定状态，光生载流子浓度的变化规律： 停止光照，光生载流子浓度的变化为 时间特性与光照度、工作温度有明显的依赖关系;光敏电阻时间常数比较大，其上限截止频率低。只有PbS光敏电阻的频率特性稍好些，可工作到几千赫。;光敏电阻是多数载流子导电，温度特性复杂。随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。 例如：硫化铅光敏电阻，随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动。 尤其是红外探测器要采取制冷措施; 指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性的影响。 ; 亮态前历效应：光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象。;光敏电阻参数;CdS光敏电阻：峰值响应波长0.52um，掺铜或氯时峰值波长变长，光谱响应向红外区延伸，其亮暗电导比在10lx照度上可达1011(一般约为106)，其时间常数与入射光强度有关，100lx下可达几十毫秒。是可见光波段???灵敏的光敏电阻。 PbS光敏电阻：响应波长在近红外波段，室温下响应波长可达3um，峰值探测率Dλ*=1.5Χ1011cm·Hz1/2/w。缺点主要是响应时间太长，室温条件下100-300uS。内阻约为1MΩ，; 锑化铟（InSb）光敏电阻：长波限7.5um，内阻低（约50Ω），峰值探测率Dλ*=1.2Χ1011cm·Hz1/2/w。时间常数0.02uS。零度时探测率可提高2-3倍。 碲镉汞HgCdTe系列光敏电阻。其性能优良，最有前途的光敏电阻。不同的Cd组分比例，可实现1-3um,3-5um,8-14um的光谱范围的探测。例如Hg0.8Cd0.2Te响应在大气窗口8-14um，峰值波长10.6um，Hg0.72Cd0.28Te 响应波长在3-5um. 碲锡铅（PbSnTe）系列光敏电阻：不同的锡组分比例，响 应波长不同。主要用在8-10um波段探测 ，但探测率低，应用不广泛。;基本偏置电路;U;光敏电阻的应用电路;;基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。 基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路 基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。;C;光敏电阻使用的注意事项