测迁移率的方法.docxVIP

测量方法 (1)渡越时间(TOP)法 适用于具有较好的 光 生 载 流 子功能的材料的载流子迁移率的测量，可以测量有机材料的 低迁移率。 在样品上加适当 直 流 电 压，选侧适当 脉 冲 宽 度的 脉 冲 光，通过透明电极激励样品产生薄层 的电子一空穴对。空穴被拉到负电极方向，作薄层运动。设薄层状况不变，则运动速度为 μE。如假定样品中只有有限的陷阱，且陷阱密度均匀，则电量损失与 载 流 子 寿 命 τ 有关， 此时下电极上将因载流子运动形成 感 应 电 流，且随时间增加。在 t 时刻有：若式中 L 为 样品厚度电场足够强，t≤τ，且渡越时间 t0τ。则在 t0 时刻，电压将产生明显变化， 由实验可测得，又有式中 L、V 和 t0 皆为实验可测量的物理量，因此 μ 值可求。 (2) 霍 尔 效 应法 主要适用于较大的 无 机 半 导 体载流子迁移率的测量。将一块通有电流 I 的半导体薄片 置于 磁 感 应 强 度为 B 的磁场中，则在垂直于电流和磁场的薄片两端产生一个正比于电流 和磁感应强度的电势 U，这称为霍尔效应。由于空穴、 电 子 电 荷符号相反，霍尔效应可直 接区分载流子的 导 电 类 型，测量到的电场可以表示为式中 R 为 霍 尔 系 数，由霍尔效应可 以计算得出 电 流 密 度、电场垂直漂移速度分量等，以求的 R，进而确定 μ。 3)电压衰减法 通过监控电晕充电试样的表面电压衰减来测量载流子的迁移率。 充电试样存积的电荷从顶面向接地的底电极泄漏，最初向下流动的电荷具有良好的前 沿，可以确定通过厚度为 L 的样品的时间，进而可确定材料的 μ 值。 (4)辐射诱发导电率(SIC)法 导电机理为 空 间 电 荷限制导电性材料。 在此方法中，研究样品上面一半经受连续的 电 子 束激发辐照，产生稳态 SIC，下面 一半材料起着注入 接 触 作 用。然后再把此 空 间 电 荷 限 制 电 流(SCLC)流向下方电极。根据理 论分析 SCLC 电 导 电 流与迁移率的关系为 J=p μ ε1ε0V2/εDd3 (7) 测量电子束电流、 辐照能量和施加电压函数的信号电流，即可推算出 μ 值。 (5)表面波传输法 被 测 量的半导体薄膜放在有 压 电 晶 体产生的场表面波场范围内，则与场表面波相联 系的 电 场 耦 合到半导体薄膜中并且驱动载流子沿着 声 表 面 波传输方向移动，设置在样品上 两个分开的电极检测到声一电流或电压，表达式为 Iae=μP／Lv． (8) 式中 P 为 声 功 率， L 为待测样品两极间距离，v 为表面声波速。有此式便可推出 μ 值。 (6)外加电场极性 反转法 (6)外加电场极性反转法 在极性完全封闭时加外电场，离子将在电极附近聚集呈薄板状，引起 空 间 电 荷 效 应。 当将外电场极性反转时，载流子将以板状向另一电极迁移。由于加在载流子薄层前、后沿 的电场影响，因而在极性反转后 t 时间时，电流达到最大值。t 相当于载流子薄层在样品 中行走的时间，结合样品的厚度、电场等情况，即可确定 μ 值。 (7)电流一电压特性法本方法主要适用于工作于常温下的 MOSFET 反 型 层载流子迁移率 的测量。对于一般的 MOSFET 工作于高温时，漏源电流 Ids 等于沟道电流 Ich 与 泄 漏 电 流 Ir 两者之和，但当其工作于常温时，泄漏电流 Ir 急剧减小，近似为零，使得漏源电 流 Ids 即为沟道电流 Ich。因此，对于一般的 MOSFET 反型层载流子迁移率，可以根据 测量线性区 I—V 特性求的。总结综上所述，本文共指出了七中载流子迁移率的测量方法， 除此之外，还可采用漂移实验、分析离子扩散、分析 热 释 电流极化电荷 瞬 态 响 应等方法进 行载流子迁移率的测量 即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量 即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率 小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如 室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/( VS)。 　　迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 　　一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。 　　迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。迁移率是反映半导体中载流子导电 能力的重要参数，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，半导体材料的导电率越高。