PI基础知识及PDN设计 .ppt

PDN元件 电容（全局电容、本地电容） 本地电容 Local Capacitor 布局中芯片下和芯片附近（如500mil/12.5mm)的电容是芯片的本地电容 全局电容 Global Capacitor 距离芯片较远电容对该芯片是全局电容 对芯片而言，本地电容与全局电容起作用的频段有差异 PDN元件 电容（全局电容、本地电容） 本地电容 Local Capacitor 高频特性优于全局电容 Global Capacitor PDN元件 电容的选用与布线小结 PDN元件 电源地平面 电源地平面的阻抗模型 低频，平板电容 中频，分布电感+分布电容 高频，与模数（m,n)、平面大小（a,b)、位置（x,y)相关的非常复杂的结构 PDN参考电平 信号回流经过公共GND线时，产生噪声 为降低公共回来噪声，要求低阻抗GND回路 GND平面就可用作降噪声的低阻抗通道 除GND回路的自感之外，GND上受到其它干扰也会产生噪声 芯片电源管脚之间以及电源到芯片电源之间也都应该是低阻通道，才能保护稳定的信号电平 电源回路噪声 电源与地之间也必须有低阻通道 高电平输出时，负载回路产生的电源噪声影响输出电压 2、PDN - 设计基础 电源供电系统的要求 PDN的要求 提供稳定的参考电压 低的公共通道噪声 维持负载上一致的电源电压 去耦电容为电源地提供低阻通道 旁路电容 去耦电容 滤波电容 电容的三种称谓 根据电容作用和位置的三种称谓 旁路电容 为交流噪声或回流提供一个就近的通道，降低干扰 去耦电容 作为芯片的储能电容 为开关电流提供就近的通道，降低电源上的噪声 滤波电容 在滤波器电路中，过滤某个频段交流分量 PDN的实现 电源地网络常用电源地平面设计 电源地平面对为高频电流低阻通道 分立电容为低、中频电流提供低阻通道 电源地平面作为信号线参考平面和信号的回流通道 PDN的模型 电源 IC芯片（动态电流源） 大电容 （体积大、容量大） 高频陶瓷电容 电源地平面 PDN的模型 电源（线性稳压电源、开关稳压电源、电荷泵电源 ) 大电容（电解电容、钽电容、陶瓷电容） 中高频陶瓷电容 （介质：X7R, X5R, NPO, Y5V） 电源地平面 IC芯片（开关过程产生动态电流，芯片去耦电容） PDN的模型 器件开关过程 – 动态电流的产生 动态电流与电源噪声 电源噪声取决于 动态电流的大小 电源阻抗 电源噪声产生EMI 电地平面边缘辐射 通过线缆共模辐射 芯片电源需求趋势 电源电压越来越低 要求电源噪声越来越小 同样是5%，3.3V的5%是165mV； 1.0V的10%只有50mV 功耗越来越高 动态电流越来越大 要求PDN的阻抗越来越小，PI设计问题日益突出 芯片功耗的构成 PDN的电路模型 电源噪声等于动态电流乘电源阻抗 动态电流Id(t)需频域描述 电源阻抗只适合用频域描述 电源噪声的求解方法 通过时域?频域，再频域?时域求解 PDN的目标阻抗 目标阻抗---电源允许的纹波（电压乘百分比纹波）与动态电流之比 PDN采取分管频段策略来满足目标阻抗要求 电源 大电容 高频陶瓷电容 电源地平面 芯片内PDN PDN的目标阻抗 目标阻抗Ztarget是频域的设计指标 电源阻抗Zs的考察点在芯片的电源地端口 Zs Ztarget, 电源噪声Vn一定满足设计指标要求，保守的设计以此为准则 Zs Ztarget, 电源噪声Vn很可能不满足设计指标要求。只有在Zs Ztarget频段动态电流极小时Vn才能满足。激进的设计方式 当从PCB上来考察Zs时，假如无法得到芯片封装和芯片的精确模型，在判断时存在模糊空间，常以业界的经验值参考 PDN的目标阻抗 VRM、PCB去耦网络、芯片三部分各自起作用频率大概的范围 VRM大约作用于DC到低频段（100K左右） PCB板上去藕电容网络作用于中频段（数10K到100-300M） CORE电源芯片内有高频去耦，PCB上的去藕只需要负责到最高50-100M 芯片封装和芯片负责高频段（100-300M以上） 芯片不同的电源种类，要求PCB上去藕电容的作用范围不同 PDN元件 – VRM (Voltage Regulator Module) 开关电源的原理框图与输出阻抗特性 PDN元件 --VRM impedance and Step Response 阻抗的三个区域 1区 DC~数十KHz 控制环路决定阻抗 2区 控制环路与VRM的外接电容共同作用 3区 数倍开关频率以上控制环路对阻抗影响逐渐消失 阻抗曲线越平坦电源越稳定 PDN元件 – VRM输出阻抗测试 测试仪器