第四章纳米压印技术.ppt

微米纳米技术; 普林斯顿大学电机系华裔教授, 1978年从中国科技大学物理系毕业； 1986年获麻省理工学院博士后； 先后在斯坦福大学及明尼苏达大学任教； 1997年应聘至普林斯顿大学主持“纳米结构实验室”。;主要内容;1. 纳米压印技术简介; 优点：其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关，而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。; 日前，NIL技术已经可以制作线宽在5nm以下的图案。 由于省去了光学光刻掩模版和使用光学成像设务的成本。因此NIL技术具有低成木、高产出的经济优势。 广泛应用在纳米电子元件、生物或化学的硅片实验室、微流道装置，超高存储密度磁盘、微光学元件等领域;;1.3 关键工艺步骤：;;模板材料的选择：; 1）硬度: 分别进行不同的硬度试验测试，包括硬度划痕试验和压痕硬度试验. 在硬度划痕试验中，测试莫式硬度。在压痕硬度试验中，测试维氏硬度和努普硬度。 2) 导热性: 必须考虑到模板和基片这两种材料导热性的差异。在降温过程中，两者导热性过大的差异，会使图形产生扭曲变形。通常的选用原则是，导热性越强越好，可以缩短整个加工周期，这有利于产量的提高.;2. 纳米压印技术原理和分类;基本概念：利用电子束刻印技术或其他先进技术，把坚硬的压模毛坯加工成一个压模: 然后在用来绘制纳米图案的基片上旋涂一层聚合物薄膜，将其放人压印机加热并且把压模压在基片上的聚合物薄膜上，再把温度降低到聚合物凝固点附近并且把压模与聚合物层相分离，就在基片上做出了凸起的聚合物图案(还要稍作腐蚀除去凹处残留的聚合物);纳米压印与图形转移技术;热压印工艺流程：;2. 将硅基板上的光刻胶加热到玻璃转换温度(Glass Transfer Temperature)以上，利用机械力将模版压入高温软化的光刻胶层内，并且维持高温、高压一段时，使热塑性高分子光刻胶填充到模版的纳米结构内;;4. 最后对硅基板进行反应离了刻蚀（Reactive Ion Etching )去除残留的光刻胶，即可以复制出与模版等比例的纳米图案。; 1. 在光刻胶中添加一种特殊的氟化物材料(如用三乙氧基硅烷作氟基添加剂)，以减小光刻胶与模板的粘附作用; 2. 预先在基片底部涂一层与基底粘接性好的聚合物(如PMGI: 聚甲基戊二酞亚胺)，这样既有利于脱模，又可使基底平整化; 3. 用一种高抗粘连的材料涂镀在模板内表面，以利于脱模;;1. 刻蚀技术：刻蚀技术以聚合物为掩模，对聚合物层进行选择性刻蚀，从而得到图案；;2. 剥离技术：先采用镀金工艺在表面形成一层金层，然后用有机济剂进行溶解，有聚合物的地方要被溶解，于是连同它上面的金一起剥离.这样就在衬底表面形成了金的图案层。;实例 1 ：;材料：50 nm mr-I 8030 熱壓：(115+90)?C, 125 bar, 15 min;光胶线宽、残余厚度和热压（50bar）温度、时间之间的关系;PMMA热压后形状松弛;优点：热压印相对于传统的纳米加工方法，具有方法灵活、成本低廉和生物相容的特点，并且可以得到高分辨率、高深宽比结构。热压印的缺点是需要高温、高压、且即使在高温、高压很长时间，对于有的图案，仍然只能导致聚合物的不完全位移，即不能够完全填充印章的腔体。;3. 紫外光固化压印技术（UV-NIL）; 1. 首先都必须准备一个具有纳米图案的模版，而UV-NIL的模版材料必须使用可以让紫外线穿透的石英； 2. 并且在硅基板涂布一层低粘度、对UV感光的液态高分子光刻胶； 3. 在模版和基板对准充成后，将模版压入光刻胶层并且照射紫外光使光刻胶发生聚合反应硬化成形； 4. 然后脱模、进行刻蚀基板上残留的光刻胶便完成整个UV-NIL。;1. Spin coating the polymer of PMMA (bottom layer); 2. Sputtering the metal of Germanium; 3. Spin coating the photo-curable resist of Amonil (top layer) from top to bottom; 4. RIE etch the resuidal layer of Amonil, Ge and PMMA; 5. Deposition of Au and lift-off.; 图形转移层作为模板与基片的中间介质，可以避免在压印过程中两者的直接接触而造成模板的损伤。紫外纳米压印技术图形转移层介质需满足以下工艺要求:; 优点：很明显，紫外压印相对于热压印来说，不需要高温、高压的条件，它可以廉价的在纳米尺度得到高分