第8章元件模型.pptVIP

第4章 元件模型;在模型说明中，使用以下缩写和规则： I (竖杠)在．model句法说明中，分隔替换 值。在参数表中，分隔替换名称(别名)。 [计算] 表示要计算的参数(不是固定的或指定的参 数)。 [n] 表示参数的NMOS值。 [p] 表示参数的PMOS值。 口 方块符号。 DIBL 漏诱导势垒降低的缩写。 LDD 轻掺杂漏的缩写。 以下是用在参数和公式计算中的物理常数: ;常数; 二极管模型可以用于结型二极管和肖特基势垒二极管。 4.1.1 句法 .model name d [parameters] name －－二极管模型名称。 parameters －－二极管模型参数名称和赋值。;参数;参数;4.1.2 大信号模型;4.1.3 方程式 ◆电流源 is和n决定二极管电流ID的DC特性。 非线性电流源ID等于：;◆电荷存储和电阻 二极管的电荷存储用QD来表示。 有两种电荷存储机构。; ◆温度依赖 饱和电流Is和结电势Ф0都随温度的变化而变化.;4.2 BJT;4.2.2 模型参数及参数意义;参数;参数;参数;参数;4.2.3 大信号模型;举例：有达林顿管组成的放大电路如图4.1所示。其中晶体管参数为：Is＝10-15A，βF=100, RB=50Ω, CJC0=1.8pF, τF=1.6ns, VA=100v。计算该电路的输入电阻和电压增益。;该电路的输入网单文件如下： Q1 Vdd 2 3 NPN Q2 Vdd 3 4 NPN C1 1 2 1uF Rb Vdd 2 2MEG Re 4 Gnd 500 v1 1 Gnd 0.0 AC 1.0 0.0 vdd vdd gnd 12 .model NPN NPN is=1E-15 bf=100 rb=50 cjc=1.8p tf=1.6n vaf=100 .ac dec 10 0.1 1G .print ac v(1)/I(v1) vm(4);其中： v1 1 Gnd 0.0 AC 1.0 0.0 .ac dec 10 0.1 1G 把输入信号源设置成一个幅度为单位1，相位为零的单位源，这样从输出端取出的电压或电流的幅度就代表了增益值，相位就是输出与输入之间的相位差。 .ac命令在0.1h～1G的频率范围内，每个数量级内计算10个频率点，模拟得到该电路的输入阻抗如图4.2所示，幅频特性如图4.3所示。可以看出，Ri＝1.4MΩ，电压增益Av＝0.99;图4.2 输入阻抗曲线;4.3 JFET JFET (结型场效应晶体管)模型使用Schichmann和Hodges的基本FET模型。DC特性用阈值电压和增益因子来模型化，电荷存储用两个反偏的PN结来模型化。漏和源串联电阻都包括在内。 4.3.1 句法 .model name njf | pjf [parameters] 其中： Name－－JFET模型名称。 Parameters－－JFET模型参数名称和赋值。;参数;参数;淑峻抚取世旅沈于峰舰去竿租延投咏垣苇截迫钎塞碟瓜淆豫议稼鹏巴龚喝第8章元件模型第8章元件模型;4.4 MESFET MESFET的中文名称为金属半导体场效应晶体管，通常指砷化镓晶体管。 4.4.1 句法 . model name nmf | pmf [parameters] 其中： name－－MESFET模型的名称。 Parameters －－MESFET模型的参数和参数的赋 值。 4.4.2 参数 ◆亚模型选择因子; DC参数;驯苇焕耽厌个扣肖耿橇扩则谊腿修滁疗秃加值毗趾伐报霜嫂焉寸后盒氢繁第8章元件模型第8章元件模型;电容参数;噪声参数;状亲隅磨伍授赶顿妹岸瓮馋勉拈社脾图盔垄强认竞站熊郸烙但佬掂床规浚第8章元件模型第8章元件模型;温度依赖参数;4.4.3 大信号模型; T-Spice的MESFET模型有三个级别： ● 第一级，Curtice模型。这是基于二极管的电 容模型以及简化的Ids计算的模型。 ● 第二级，Statz模型(由Statz等人在1987年创 建的)。该模型是对Curtice模型的修正，包 括改进的电容模型和更复杂的Ids计算。 ● 第三级，这是一个HSPICE兼容的模型。该模 型能进行许多自定义。 举例： GaAs场效应晶体管反相器如图4.4所