第9章存储器与PLD.pptVIP

第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件 ;9.1 半导体存储器 ;图 9 – 2 二极管ROM结构图 ;表 9 – 1 图 9 - 2 ROM的数据表 ;9.1.2 ROM在组合逻辑设计中的应用 ;图 9 - 3ROM的与或阵列图 (a) 框图； (b) 符号矩阵 ; 用ROM实现逻辑函数一般按以下步骤进行： (1) 根据逻辑函数的输入、输出变量数，确定ROM容量，选择合适的ROM。 (2) 写出逻辑函数的最小项表达式，画出ROM阵列图。 (3) 根据阵列图对ROM进行编程。 ;例 1 用ROM实现四位二进制码到格雷码的转换。 ;;图 9 – 4 四位二进制码转换为四位格雷码阵列图 ;9.1.3 ROM的编程及分类 ;2. 可编程ROM(PROM) ;图 9 – 6 PN结击穿法PROM的存储单元 ;3. 可擦除的可编程ROM(EPROM) ;　　此时若在Gc上加高压正脉冲， 形成方向与沟道垂直的电场， 便可以使沟道中的电子穿过氧化层面注入到Gf， 于是Gf栅上积累了负电荷。 由于Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅， 泄漏电流很小， 所以一旦电子注入到浮栅之后， 就能保存相当长的时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。;图 9 – 7 SIMOS管的结构和符号 ;(2) E2PROM的存储单元 ;图 9 – 9 Flotox管的结构和符号 ;(3) 快闪存储器(Flash Memory) ;9.1.4 随机存取存储器(RAM) ;图 9 – 11 SRAM的基本结构 ;(2) SRAM的静态存储单元。 ;2. 动态随机存储器(DRAM) ;9.1.5 存储器容量的扩展 ;2. 字数的扩展 ;9.2 可编程逻辑器件PLD ;9.2.1 PLD的电路简介 ;图 9 – 16 PLD输入缓冲器 ;图 9 – 17 与门表示法 ;图 9 – 18 PLD连接法 ;图 9 – 19 与门的省缺情况 ;2. PROM电路的PLD表示法 ;3. FPLA电路的PLD表示 ; 例 2 试用FPLA实现例1要求的四位二进制码转换为格雷码的转换电路。 解 用卡诺图对表 9 - 2 进行化简， 如图 9 - 22 所示，则得 ;式中共有7个乘积项，它们是 ;图 9 – 22 例2化简的卡诺图 ;图 9 – 23 例2的FPLA的阵列图 ;4. PAL电路 ;图 9 – 25 PAL的四种输出结构 (a) 专用输出结构； (b) 可编程I/O结构； (c) 寄存器输出结构； (d) 异或型输出结构 ;5. GAL电路 ;图9 – 26 GAL16V8逻辑图 (a) 逻辑图； (b) 引脚图 ;图 9 – 27 OLMC的内部结构 ;图 9 – 28 GAL的结构控制字 ;表 9 – 3 OLMC工作模式的配置选择 ;图 9 – 29 OLMC 5种工作模???的等效电路 (a) 专用输入模式； ;图 9 – 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (b) 专用输出模式； ;图 9 – 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (c) 反馈给输出模式； ;图 9 – 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (d) 时序电路中的组合模式； ;图 9 – 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (e) 寄存器输出模式 ;(3) 行地址映射。 ;6. 高密度可编程逻辑器件 ;9.2.2 PLD的开发 ;2. 在系统可编程技术和边界扫描技术 ;2) 边界扫描测试技术。