第3讲 场效应管.pptxVIP

（2）工作原理 ;①UDS决定耗尽层的楔形程度;结型场效应管的工作原理;当 且 时，耗尽层很窄，导电沟道最宽。;②当 固定时， 决定耗尽层的楔形程度。 ; 栅漏电压 ，所以当 逐渐增大时， 逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。 ;（1）转移特性及特征方程;N·JFET的特性曲线;P·JFET;N沟道结型场效应管的结构示意图 ;二、绝缘栅场效应管（MOS管）;（1）耗尽型： UGS=0时，已有导电沟道，ID≠0，UGS 控制ID变化 （2）增强型 UGS=0时，没有导电沟道，ID=0，只有适当极性的UGS 达到一定数值后，建立导电沟道，UGS 才控制ID变化; ;（2）符号 ;分四种情况讨论： ; ② 时，来源于外电场UGS正极的正电荷使SiO2中原有的正电荷数目增加，由于静电感应，N沟道中的电子随之作同等数量的增加，沟道变宽，沟道电阻减小，漏极电流成指数规律的增加。 ;③ 时，来源于外电场负极上的负电荷抵消一部分SiO2中原有的正电荷，使其数目减少，沟道变窄，沟道电阻增加，从而漏极电流ID成指数规律减小。; ④ 时，SiO2层中的正电荷全部被负电源中和，N沟道中电子全部消失，也就是说N沟道不存在了，沟道电阻为无穷大，漏电流 ，管子截止(夹断)。 ;（4）特性曲线及工作原理 ; ;*5、 N沟道增强型绝缘栅场效应管;（3）工作原理; ;当UGS UGS（off）后， UGS ↑→反型层愈厚→沟道电阻 ↓→ ID ↑ →实现电压控制电流;;（4）增强型NMOS管的特性曲线 ;*6、 P沟道绝缘栅场效应管(PMOS管);三、场效应管的主要参数; ;四、微变等效模型;四、场效应管微变等效模型;①在漏极特性上确定gm;四、场效应管和双极型三极管的比较