半导体中的电子状态教程文件.pptVIP

本章主要讨论: 定性介绍能带理论，利用Schrodinger方程 和Kroning-Penney模型近似推导关于半导体 中电子的状态和能带特点。 阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴的概念。 最后简单介绍几种半导体材料的能带结构。; 晶体结构 化学键 Si，Ge 金刚石型 共价键 GaAs 闪锌矿型 混合键 (共价键 + 离子键）;1.1.1 金刚石型结构和共价键 现代电子学中，重要的半导体材料：硅 和 锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个，它们组合成晶体靠共价键结合。;硅和锗的共价键结构;共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。; 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 ;可看成是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了1/4的空间对角线长度套构而成的;硅、锗基本物理参数;1.1.2 闪锌矿型结构和混合键;闪锌矿型结构的晶胞;1.1.3纤锌矿型结构;纤锌矿型结构晶胞图;1.2 半导体中的电子状态和能带;一、电子的共有化运动;二、原子能级分裂以及能带的形成;分裂的每一个能带称为允带; 以金刚石结构单晶硅材料为例 能级sp3杂化后，硅原子最外层有四个能量状态；若晶体中有N个原子，能级分裂后形成两个能带，各包含2N个状态。 能量高的能带有2N个状态，全空，称为导带；能量低的能带有2N个状态，全满，成为满带或价带。;2学时;半导体（硅、锗）能带的特点：;能带产生的原因： 定性理论（物理概念）：晶体中原子之间的相互作用（电子共有化运动），使能级分裂形成能带。 定量理论（量子力学计算）：电子在周期场中运动，其能量不连续形成能带。;能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存 在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存 在的能量范围。;共价键理论;能带理论 共价键理论 价带中电子 共价键上的电子 导带中电子 挣脱共价键的电子 禁带宽度 脱离共价键所需的最小能量 定量理论 定性理论;1.2.2 半导体中电子的状态和能带;;自由电子的E与k成抛物线关系;;自由电子： 即自由电子在空间作等几率运动，自由运动 而晶体中电子 说明晶体中电子的出现的几率是周期性变化的，不同的k说明了不同的共有化运动。;;虚线：自由电子的E(k)-k关系; 布里渊区特征： （1）k=n/2a(n=±1，±2···)时，能量不连续， 形成一系列相间的允带和禁带，其中 第一布里渊区： -1/2a k 1/2a 第二布里渊区： -1/a k -1/2a，（2）E(k)=E(k+n/a), E(k)是k的周期性函数， 周期为k； （3）禁带出现在k=n/2a处； （4）每一个布里渊区对应一个能带;E(k)-k的对应意义： 1）每一个k对应一个能量状态(能级） 2）每个能带有N个能级，而每个能级可以容纳自旋方向相反的两个电子，因此，每个能带可以容纳2N个电子。;1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带;半满带：在外电场作用下，电子吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上，能量改变，能参与导电;空穴：带正电荷的准粒子 价带电子导电等效为带正电的准粒子，即空穴导电;Eg(禁带宽度): 脱离共价键所需的最低能量 Ev(价带顶)：是价带电子的最高能量 Ec(导带底)：导带电子的最低能量 本征激发：温度一定时，价带电子激发成为导带电子的过程 ∴ Eg=EC-EV;导带;金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体 半导体和绝缘体的能带类似，即下面是已被价电子占满的满带（其下面还有为内层电子占满的若干满带），亦称价带，中间为禁带，上面是空带。 半导体中导带的电子和价带的空穴参与导电，这是与金属导体的最大差别。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，在通常温度下，能激发到导带中的电子很少，所以导电性很差。;绝缘体、半导体和导体区别;电子能带结构由它们所在的势场决定，与组成晶体的原子结构与晶体结构（ ），与晶体中原子数目的多少（ ）。 A.有关 B.无关;1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 半导体中，起作用的是接近于能带底部或能带顶部的电子。