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微纳电子器件笔记
3．12课程
TFT工作频率低，不能用于数字电路。 考虑提升其工作频率，实现印刷电子
FET存储、放大。
MOSFET的分类： 常闭（增强型）和常开（耗尽型）
MOS的等比例缩小（scaling-down），重掺杂可以减小耗尽层宽度。
不能一直减小栅压
布局布线，平行的电容
工艺制造：自对准技术，Al栅到多晶硅栅
4.9
Gate-last 性能更好
CMP 化学机械抛光
超浅结（USJ）：可以降低SCE效应，因为使得耗尽层的比例降低。但是会增大寄生电阻，电压主要降在了源漏上而不是在沟道上。这样电流会降低
6.20.
Bulk micromachining 各向同性刻蚀和各向异性
湿法刻蚀和干法刻蚀，
测量电容，就可以测量到加速度（电容加速度计），有横向和纵向
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