MOSFET结构及工作原理-动态特性教学提纲.docVIP

MOSFET结构及工作原理-动态特性 MOSFET结构及工作原理，动态特性： MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。电路符号如下图所示： 下图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅SIO2绝缘层(图lc)，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。 从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。 图1： 通常，漏极D与电源正极连接，源极与电源负极连接。在未加栅极电压时，漏极与源极的沟道有两个背靠背的PN结，所以漏极电流几乎为零。 当栅极G与源极之间加上正电压但是，金属栅极被充电而聚集起正电荷，正电荷建立起的电场排斥靠近SIO2底面下的P型半导体中的空穴，形成耗尽层。如果栅极电压进一步加大，直到VGS=VT(开启电压)时，由于电场足够强，不仅会把P型半导体表面的空穴赶走，，而且还会吸引一定数量的电子聚集在两