(材料科学基础)位错反应和扩展位错备课讲稿.pptVIP

（1）扩展位错的宽度 为了降低两个不全位错间的层错能，力求把两个不全位错的间距缩小，则相当于给予两个不全位错一个吸力，数值等于层错的表面张力γ（即单位面积层错能）。 两个不全位错间的斥力则力图增加宽度，当斥力与吸力相平衡时，不全位错之间的距离一定，这个平衡距离便是扩展位错的宽度 d。 面心立方晶体中的扩展位错 当 f 与层错能γ相等时，处于平衡 ∴ 扩展位错的宽度: 层错能↑，扩展宽度d↓，相反则↑。 d b Co Ag Cu Au Al Ni 0.02 0.02 0.04 0.06 0.20 0.25 J/m2 两个平行不全位错之间的斥力 （1）扩展位错的宽度 纯螺位错在 面上分解 运动过程中，若前方受阻，两个偏位错束集成全位错。当杂质原子或其它因素使层错面上某些地区的能量提高时，该地区的扩展位错就会变窄，甚至收缩成一个结点，又变成原来的全位错，这个现象称为位错的束集。 束集可以看作位错扩展的反过程。 （2）扩展位错的束集 在外力作用下，扩展位错收缩成原来的全位错的过程称为束集。 （2）扩展位错的束集 由于扩展位错只能在其所在的滑移面上运动，若要进行交滑移，扩展位错必须首先束集成全螺位错，然后交滑移到 面上，重新分解成新的扩展位错，继续运动。 总结： 在实际晶体中，由于扩展位错的形成，螺位错的交滑移比全位错的交滑移要困难得多，必须经束集后才能进行。晶体层错能越低，扩展位错的宽度越大，束集越困难，不易交滑移，因此晶体的变形抗力越大。 （3）扩展位错的交滑移 扩展位错的交滑移过程 （3）位错网络 Dislocation network 实际晶体中存在几个b位错时会组成二维或三维的位错网络 设： 面上有扩展位错： 面上有扩展位错： 在相交滑移面上两个扩展位错的领先位错相遇而成 即（a）－BDC面上： 即（d）－ABC面上： 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 反应过程—— 滑移面： Lomer-Cottrell位错，面角位错 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 该扩展位错在各自的滑移面上相向移动，当扩展位错中的一个不全位错到达交线BC时，发生位错反应： ?B + B? ? ?? 新位错1/6[110]的柏氏矢量在（001）面上，滑移面是（001），因此是固定的纯刃型位错。 另外，它还带着两片分别位于（111）和（11－1）面上的层错以及两个不全位错，在两个（111）面的面角上，这种由于三个不全位错和两片层错构成的位错组态称为Lomer－Cottrell位错 另外，它还带着两片分别位于（111）和 面上的层错以及两个不全位错，在两个（111）面的面角上，这种由于三个不全位错和两片层错构成的位错组态称为Lomer－Cottrell位错 面心立方结构中，在 和 面上有两个全位错b1和b2： 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 第 三 章 晶 体 缺 陷 （六） ——实际晶体结构中的位错 烟台大学 秦连杰 E-mail：lianjieqin@126.com 面心立方晶体中的典型位错 柏氏矢量 位错类型 刃、螺、混 刃、螺、混 纯刃 位错线形状 空间曲线 ｛111｝面上任意曲线 ｛111｝面上任意曲线 可能运动方式 滑移、攀移 只滑不攀 只攀不滑 位错名称 全位错 肖克莱位错 弗兰克位错 4. 位错反应(dislocation reaction) ： 4. 位错反应 实际晶体中，组态不稳定的位错可以转化为组态稳定的位错; 具有不同b的位错线可以合并为一条位错线；反之，一条位错线也可以分解为两条或多条具有不同b的位错线。 位错反应－位错之间相互转换(即柏氏矢量的合成与分解)。 4. 位错反应 位错反应能否进行取决于两个条件： ①几何条件：反应前的柏氏矢量和等于反应后的柏氏矢量和。 ②能量条件：反应后诸位错的总能量小于反应前诸位错的总能量，这是热力学定律所要求的。 b1 b2 b3 注意：b的方向与规定的ξ的正向有关。所以位错反应中，一般规定反应前位错线指向节点，反应后离开节点。 ①一个位错分解成两个或多个具有柏氏矢量的位错，面心立方晶体中一个全位错分解成两个肖克莱不全位错。 ②两个或多个具有不同柏氏矢量的不全位错合并成一个全位错，一个肖克莱不全位错和一个弗兰克不全位错合并成一个全位错。 ③两个全位错合并成另一全位错。 ④两个位错合并重新组合成另两个位错，如体心立方中： 4. 位错反应 上例中： 结构条