尼曼 半导体物理与器件第七章word版本.pptVIP

第七章 pn结 * （2）势垒电容（结电容） 其中，变化的电荷数量为增加（或减少）的空间电荷区宽度内的电荷数量，因而其值为: 可以看到，电荷变化量正比于空间电荷区宽度变化量。空间电荷区宽度与反偏电压的关系为： 势垒电容（结电容）的定义： 第七章 pn结 * 则可得到： 由上式可知：势垒电容的大小与εs（材料）、Vbi（掺杂水平）、Na、Nd及VR等因素有关。 将W代入上式，得到： 这表明势垒电容可等效为其厚度为空间电荷区宽度的平板电容 例7.5 注意：势垒电容的单位是F/cm2，即单位面积电容 第七章 pn结 * （3）单边突变结 假设有p+n结，即pp0nn0，NaNd，相应有： 第七章 pn结 * 势垒电容和反偏电压有关系： 可以看到，单边突变结C-V特性可以确定轻掺一侧的掺杂浓度。这是C-V法测定材料掺杂浓度的原理。 第七章 pn结 * 7.4 结击穿 特定反偏电压下，反偏电流会快速增大。此特定电压为击穿电压。 击穿的物理机制 齐纳击穿（隧穿过程）：重掺杂pn结，反偏条件下强电场结两侧的导带与价带距离非常近。 雪崩击穿（雪崩效应）：大多数pn结的主导击穿机制。 第七章 pn结 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 第七章 pn结 高等半导体物理与器件 第七章 pn结 高等半导体物理与器件 第七章 pn结 高等半导体物理与器件 第七章 pn结 高等半导体物理与器件 第七