半导体二极管、三极管的型号.docVIP

PAGE PAGE 203 常用半导体分立元件型号的命名方法简介 在模拟电路教科书中，对半导体分立器件的工作原理和特性已做了较详细的介绍，所以就不再赘述。这里将给出常用半导体分立器件型号的命名方法。 中国半导体分立器件型号的命名方法 在国家标准GB249-74中，半导体器件的型号由五部分组成，具体规定见表1。 表1 中国半导体分立器件型号的命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五 部分 用数字表 示器件的 电极数目 用汉语拼音字母表示 器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用数字表示器件序号 用汉语拼音字母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 3 二极管 三极管 A B C D A B C D E N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P型硅材料 PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 P V W C Z L S N U K X G 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管 (f0＜3MHz, PC≤1W) 高频小功率管 (f0＞3MHz, PC≤1W) D A T Y B J CS BT FH PIN JG 低频大功率管 (f0＜3MHz, PC≥1W) 高频大功率管 (f0＞3MHz, PC≥1W) 半导体闸流管 （可控整流器） 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 例如： 3 D G 6 2 A P 1 器件序号 器件序号 高频小功率管 普通管 NPN型硅材料 N型锗材料 三极管 二极管 欧洲半导体分立器件型号命名方法 欧洲半导体分立器件型号由四部分组成，具体见表2。 表2 欧洲半导体分立器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用字母表示 器件的材料 用字母表示器件的类型与主要特性 用数字或 字母加数字 表示登记号 用字母对 同一型号 器件分档 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 A B C D R 锗材料 （禁带 0.6～1.0eV) 硅材料 （禁带 1.0～1.3eV) 砷化鎵材料 （禁带＞1.3eV） 锑化铟材料 （禁带＜1.3eV＝ 化合物材料 A B C D E F G H K L 检波二极管、 开关二极管、 混频二极管 变容二极管 低频小功率三极管 RTj＞15°C/W 低频大功率三极管 RTj≤15°C/W 隧道二极管 高频小功率三极管 RTj＞15°C/W 复合器件及其它器件 磁敏二极管 开放磁路中的 霍尔元件 高频大功率三极管 RTj≤15°C/W M P Q R S T U X Y Z 开放磁路中的 霍尔元件 光敏元件 发光元件 小功率可控硅 RTj＞15°C/W 小功率开关管 RTj＞15°C/W 大功率可控硅 RTj≤15°C/W 大功率开关管 RTj≤15°C/W 倍增二极管 整流二极管 稳压二极管 三 位 数 字 通用 半导 体器 件的 登记 序号 A B C D E · · · 同一 型号 的半 导体 器件 按某 一参 数分 档的 标志 一 个 字 母 两 个 数 字 专用 半导 体器 件的 登记 序号 注：表2中，符号RTj是耗尽层—管壳的热阻。 例如： B U 208 B Z Y88 A 容许误差±5% 器件登记号 专用器件登记号 大功率开关管 稳压二极管 硅材料 硅材料 美国半导体分立器件型号命名方法 美国电子工业协会（EIA）规定了半导体器件的命名方法。每种器件按注册登记号排列。二极管以1N开头，晶体管、晶闸管和三端双向可控硅开关器件均以2N开头，其后的数字部分几乎是任意编排的，切勿以