第5章 硅外延生长分析.pptVIP

88 ELTRAN * 89 ELTRAN * 90 * 91 以上 4 种制备 SOI 材料的方法各有所长，用户可以根据不同的材 料要求，选择不同的制备方法。 SDB 法 通常用于制取 厚埋氧层材料 ，其硅层的厚度取决于硅片 减薄技术的进展。早期该技术只能制备厚硅层材料，后来随着 BE （ Back Etch ） Bonding 技术和 CMP （ Chemical Mechanical Polishing ） 技 术 的 发 展 ， 也 可 以 用 于 制 备 极 薄 的 顶 层 硅 （ 0.1 μm ）。 而 SIMOX 法 由于氧注入条件的限制， 只能制取薄硅层（ 0.1 ～ 0.4 μm ）和薄埋氧层（ 0.1 ～ 0.4 μm ）材料 。要获得厚的硅层， 必须再进行外延，即采用 ESIMOX 法。 而 Smart Cut 法 由于采用了键合工艺，则 最适用于制备薄硅层 （ 0.1 ～ 1 μm ）和厚埋氧层材料。 ELTRAN 法的适用范围最宽， 可根据用户要求， 提供从几十纳米 到几十微米的硅层和埋氧层。 * 92 § 5-5-3 SiGe/Si ? 研究进展 Si 材料上异质生长 SiGe/Si 结构材料，可灵活运用能带工 程进行能带剪裁制作 Si 基量子结构器件。 与成熟的 Si 微电子工艺兼容，利用 SiGe/Si 制作的异质结 双极型晶体管（ HBT ）已实用