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《微电子封装技术》试卷标准答案 一、填空题（每空2分，共40分） 1、膜技术 2、粘度 3、金属氧化物 4、金属 5、转移成型技术 6、软式印制电路板 7、极性/非离子污染 8、热膨胀系数 9、倒线 10、可靠性 11、陶瓷球栅阵列 12、预型片 13、打线键合 14、光刻工艺 15、挥发性物质 16、四边引脚 17、凸点 18、功能相 19、收缩 20、倒装芯片。 二、简答题（每小题6分，共30分） 1、答：一般可将厚膜浆料分为：聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。 …………………………………………2分 传统的金属陶瓷厚膜包括4种成分，分别为： （1）有效物质：确定膜的功能，即确定膜为导体、介质层、电阻。 …………………………………………1分 （2）粘贴成分：提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。 …………………………………………1分 （3）有机粘贴剂：提供丝网印刷印制的合适流动性能。 …………………………………………1分 （4）溶剂或稀释剂：它决定运载剂的粘度。 …………………………………………1分 2、答： （1）传递电能，主要是电源电压的分配和导通。 （2）传递电信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。 （3）提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。 （4）提供结构保护与支撑，主要是指芯片封装的机械可靠性。 …………………………………………6分 3、答： 工艺流程如下： ……………………3分 先划片后减薄：即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削； 减薄划片：即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口，然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后，采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量，实现裸芯片的自动分离。 ……………………3分 4、答： 工艺流程如下：PCB板覆铜箔——镀胶（光刻胶，正胶或负胶）——曝光（利用掩膜板，正胶的掩膜板和实际电路模型一样，负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型）——显影（显出实际电路图型，以正胶为例）——镀锡（保护实际电路防止污染）——去胶（显出非电路部分的铜箔，实际电路被锡覆盖）——刻蚀（刻蚀掉非线路部分的铜箔）——去锡（显出实际电路图形）。 ……………………6分 5、答： 常见缺陷：金线偏移、翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞。 ……………………2分 产生金线偏移的原因分析： 树脂流动产生的拖曳力；导线架变形；气泡移动；过保压/迟滞保压；填充物的碰撞。 ……………………4分 三、论述题（每题15分，共30分） 1、答： （一）波峰焊与再流焊的工艺特点及原理分析 （1）波峰焊工艺特点 先将微量的贴片胶印刷或滴涂到元器件底部或其边缘位置处，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置，然后再将贴装好元器件的印制板放在再流焊设备的传送带上，进行胶固化。固化后的元器件被牢固黏结在印制电路板上，然后进行分立元器件的插装，最后与插装元器件同时进行波峰焊接。 ……………………2分 （2）再流焊工艺特点 先将微量的锡膏印刷或滴涂在印制电路板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制电路板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件的印制电路板放在再流焊的传送带上，从炉子入口到出口大约5——6min即可完成干燥、预热、融化、冷却全部焊接过程。 ……………………2分 （3）再流焊原理分析 ① 当PCB进入升温区时，锡膏中的溶剂、气体蒸发掉，同时焊膏中的助焊剂润湿焊盘、元器件端头和引脚，焊膏软化、塌落，覆盖焊盘，将焊盘、元器件引脚与氧气隔离。 ② PCB进入保温区时，PCB和元器件得到充分的预热，以