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2020-04-22 发布于北京
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§6.2 负阻二极管与振荡晶体管 1、雪崩渡越时间二极管——极高频/400GHz •雪崩二极管是利用雪崩倍增效应和渡越时间效应相结合而产生负阻特性的器件。 •按结构可分为单漂移型和双漂移型； + + •按掺杂分布可分为PN结型、里德型(NPIP )、高低结型和低高低结型等； •按工作模式有碰撞雪崩渡越时间模（IMPAT）、俘获等离子体雪崩触发模（TRAPATT）、势垒注入渡越时间模（BARITT）以及双速度渡越时间模（DOVFTT）等，它们分别被简称为崩越二极管、俘越二极管、势越二极管和速越二极管。 1 雪崩渡越时间二极管工作原理 +  v(t) V max + + V = V N P I P 0 B 0 t N+ P+ T 布 1016 N 1 分质 T i (t) 杂 a 4 13 N2 10 0 x ,b x 雪崩倍增效应 t W E ie 1(t) i (t)  e 单漂移型 2 渡越时间效应 t  x ie 1(t) 图 6.1 (a) 里德二极管的结 (b) 雪崩二极管的构和杂质与电场分布