第二章 半导体光物理与光化学.pptVIP

半导体光物理和光化学;半导体指电导率在金属电导率（104～106Ω/cm）和电解质电导率（10-10Ω/cm）之间的物质。 金属，半导体和绝缘体导电机理不同，金属为一类，半导体和绝缘体为一类。 半导体和绝缘体与金属相比，能带是不连续的。 半导体的能带结构通常是由一个充满电子的低能价带（valence ; band，VB）和一个空的高能导带（conduction band， CB）构成，价带和导带之间存在一个区域为禁带，区域的大小通常称为禁带宽度（Eg）一般半导体的Eg小于3.0eV。 半导体材料的光物理行为与半导??的带隙和禁带中存在的陷阱能级及表面态能级密切相关。 ;无机半导体材料的分类; 典型的元素半导体有锗、硅、硒和碲，它们位于周期表中Ⅳ族和Ⅵ族。 化合物半导体种类很多，包括周期表中的第Ⅲ族元素（Ga、In）和Ⅴ族元素（P、As、Sb）形成的二元化合物AⅢBⅤ，GaAs、GaP、InP等；周期表中第Ⅱ族元素和第Ⅵ族元素形成的二元化合物AⅡBⅥ、ZnTe、ZnSe ZnO、CdS、CdTe;周期表中Ⅳ族元素和Ⅵ族元素AⅣBⅥ, PbS, PbTe、SnTe; Ⅵ族元素O、S、Se、Te与Ⅰ～Ⅴ族元素形成的化合物Cu2O、Bi2Te3； Ⅵ族元素与过渡元素和稀有元素形成的化合物，TiO2、WS2、NiO、MoSe、WO3。 ;半导体;本征和掺杂半导体;形成宏观电流，分别称 为电子导电和空穴导电，这种由于电 子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。 本征半导体的导电性能与温度有关，半导体材料性能对 温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件 温度稳定性差的原因 。 掺杂半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适 的杂质元素，可得到杂质半导体。 ;一、半导体的导电特性;结论：;掺杂半导体;二、N型和P型半导体;N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使 之取代晶格中硅原子的位置，形成N型半导体。 多子：N型半导体中，多子为自由电子。 少子：N型半导体中，少子为空穴。 施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。 　　 N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。;2、P型半导体 ;P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼） 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 P型半导体。 多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的 浓度，称为多数载流子，简称多子 。 少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简 称少子。 受主原子： 杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能 也就越强。 ;二、PN结及其单向导电型;形成过程：;2、PN结的单向导电性;(2) PN结的反向截止特性;第一节 半导体物理; 尺寸较大的半导体粒子在晶体中存在分子（或原子 间相互作,HOMO相互作用形成价带；LUMO相互作用形 成导带。电子在价带和导带中是非定域化的，可以自由移 动。在理想半导体的场合，价带顶和导带底之间带隙中不 存在电子状态。这种带隙称为禁带，禁带宽度用Eg表示。 ; 实际半导体中，由于半导体材料中不可避免地存在杂 质和各类缺陷，使电子和空穴束缚在其周围，成为捕获电 子和空穴的陷阱，产生局域化的电子态，在禁带中引人相 应电子态的能级。以离子晶体中心缺陷为例，在正电荷中 心，负离子空位和间隙中的正离子是正电中心，正电中心 束缚一个电子，这个被束缚的电子很容易挣脱出去，成为 导带中的自由电子。由于正电中心起提供电子的施主作用 因此，这种半导体是N型半导体。N型半导体中施主能级Ed靠近导带底Ec。;; 在负电中心，正离子空位和间隙中的负离子是负电 中心，负电中心束缚一个空穴，把束缚的空穴释放到价 带， 即从价带接受电子。 由于负电中心起接受电子的 受主作用，这种半导体为P型半导体，P型半导体的受 主能级Ea靠近价带顶Ev。 ;陷阱：陷阱是俘获一种载流子的能力强、俘获另外一种载流 子的能力弱的一种深能级中心，故陷阱具有存一种储载流子 的作用。 陷阱可分为浅陷阱和深陷阱，浅陷阱能级位于导带 底和价带顶附近，而深陷阱能级位于禁带的中心附近。深陷 阱可以捕获光生电子和空穴，起复合中心作用。另外，在半 导体表面，由于晶体的周期性被破坏和各种类型的结构缺陷 以及吸附等原因，禁带中形成表面态能级。 ;半导体表