V转V交流逆变器工作原理.pdfVIP

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12V 转 220V 交流逆变器工作原理 今天我们来介绍一款逆变器 ( 见图 1) 主要由 MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功 率取决于 MOS场效应管和电源变压器的功率, 免除了烦琐的变压器绕制, 适合电子爱好者业 余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 电路图 (1) 工作原理: 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 一、方波的产生 这里采用 CD4069构成方波信号发生器。 电路中 R1 是补偿电阻, 用于改善由于电源电压 的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容 C1 充放电完成的。其振荡频率为 f=1/2.2RC 。图示电路的最大频率为: fmax=1/2.2x103x2.2x10 — 6=62.6Hz ,最小频率为 fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10 — 6=48.0Hz 。由于元件的误差,实际值会略有差异。其它多余 的发相器,输入端接地避免影响其它电路。 1 / 9 图 2 二、 场效应管驱动电路。 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为 0~5V,为充分驱动电源开关电路, 这里用 TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V。如图 3 所示。 图 3 三、 场效应管电源开关电路。 场效应管是该装置的核心, 在介绍该部分工作原理之前, 先简单解释一下 MOS场效应管 的工作原理。 MOS场效应管也被称为 MOS FET,即 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor( 金属氧化物半导体场效应管 ) 的缩写。 它一般有耗尽型和增强型两种。 本文使用 的是增强型 MOS场效应管,其内部结构见图 4 。它可分为 NPN型和 PNP型。 NPN型通常称为 N沟道型, PNP型通常称 P 沟道型。由图可看出,对于 N沟道型的场效应管其源极和漏极接 在 N 型半导体上, 同样对于 P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在 P 型半导体上。 我们知道 2 / 9 一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。 但对于场效应管, 其输出电流是由输入的电压 ( 或称场电压 ) 控制, 可以认为输入电流极小或没有输入电流, 这使得该器件有很高的输入阻 抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。 图 4 为解释 MOS场效应管的工作原理,我们先了解一下仅含一个 P— N结的二极管的工作过 程。如图 5 所示,我们知道在二极管加上正向电压 (P 端接正极, N端接负极 ) 时,二极管导 通,其 PN结有电流通过。这是因在 P 型半导体端为正电压时, N 型半导体内的负电子被吸 引而涌向加有正电压的 P 型半导体端,而 P 型半导体端内的正电子则朝 N 型半导体端运动, 从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压 (P 端接负极, N端接正极时,这时在 P 型半导体端为负电压, 正电子被聚集在 P 型半导体端, 负电子则聚集在 N 型半导体端, 电子 不移动,其 PN结没有电流流过,二极管截止。 图 5 3 / 9 对于场效应管 ( 图 6) ,在栅极没有电压时,有前面的分析可知,在源极与漏极之间不会 有

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