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第三节 半导体三极管 一、三极管的结构与分类 NPN 型 PNP 型 E C B E C B 1　晶体管的电流放大原理 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 2　三极管的外形结构 3　三极管的电流分配与放大作用 N N P UBB RB UCC RC B C E 晶体管实现电流放大作用的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 共射极放大电路 EB RB B E C EC RC PNP ：VCVBVE 从电位的角度看： NPN ：VCVBVE B C E N P N UCC RC UBB RB IE IC IB 三极管内部载流子的传输过程 1. 发射区向基区注入电子的过程 2. 电子在基区的扩散和复合过程 3. 集电区收集电子的过程 IC IB B C N P N UCC RC UBB RB a. 发射区向基区扩散电子,形成发射极电流IE b. 基区向发射区扩散空穴,形成空穴电流 IC IB IE 因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流可忽略不记。 B C N P N UCC RC UBB RB IC IB IE c. 基区电子的扩散和复合,形成IB B C N P N UCC RC UBB RB IC IB IE d. 集电区收集从发射区扩散过来