CH4 硅片加工-表面抛光演示课件.ppt

抛光垫整体结构 压敏胶粘结 底盘 高度平整表面 (3) 抛光中的化学和机械作用 化学作用： 碱对硅的腐蚀作用——腐蚀速率 腐蚀物对金属杂质的吸附作用—除污染 SiO2胶粒(小)对腐蚀物的吸附作用——吸除 碱性的金属络合作用——除污染 机械作用： SiO2胶粒(大)的摩擦作用 抛光垫的摩擦作用 擦除 a. 碱对硅的腐蚀作用 硅片表面是损伤层，存在非单晶Si和SiO2薄层 Si+2OH-+H2O=SiO32-+H2↑ SiO2+2OH-=SiO32-+H2O b. 胶粒(小)的吸附作用 较小的SiO2胶粒具有较强的吸附作用，可以吸附腐蚀的产物，使其脱离硅片表面。 c. 碱的络合作用 有机碱分子和某些重金属反应，生成络合物 化学作用 机械作用 抛光垫和胶粒(大)的机械作用。 较大SiO2胶粒和抛光垫，对硅片表面有机械摩擦作用，从而使腐蚀出的产物脱离硅片表面，并最终去除。 CMP的去除过程 腐蚀 大胶粒摩擦 粘于表面 小胶粒吸附 脱离表面 剥离 抛光垫摩擦 化学、机械作用的关系 CMP中，化学与机械作用应相匹配 化学作用腐蚀硅表面薄层。 机械作用擦除的是被腐蚀的部分。 理想的抛光： 腐蚀速率=(擦除+吸附)速率=抛光速率 试思考：该如何控制抛光的精度？ 高精密度获得—多步CMP抛光 粗抛光 细抛光 精抛光 最终抛光 去损伤层 15um 定点平坦化 干化学等离子