磁控溅射定义和原理.pptVIP

* * * * * * * * 因电极不同分为二、三、四，磁控、射频等 * * * * * * * * * * * * 使轰击基片的高能电子的减少和轰击击靶材约高能离子约增多，污染少…具体原因稍后解释 * * * * * * * * 磁场的存在将延长电子在等离子体中的运动轨迹，提高了它参与原子碰撞和电离过程的几率，因 而在同样的电流和气压下可以显著地提高溅射的效率和沉积的速农。 * * * * 实际上，由于初速不为零，场也不均匀和正交，所以不是标准的摆线。总之，磁场使得电子在等离子体中的运动路径增长，增加碰撞几率。 * * 边缘磁场大，所以辉光强，磁场范围小 电磁永磁 实际的做法：将永久磁体或电磁线圈放置在靶的后方，从而造成磁力线先穿出靶面，然后变成与电场方向垂直，最终返回靶面的分布 * * 扩大等离子体区域，使部分离子对工件轰击，达到清洗的目的（工业生产用） 非平衡磁控溅射技术可以实现在10-2Pa级的真空下进行溅射沉积。。利用高速沉积在替代传统电镀方面具有诱人前景。 脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲沉积温度更低,可以实现高速、无缺陷陶瓷薄膜沉积等一系列显著优点。 由于旋转靶每一时刻靶面溅射的位置不 同，靶的冷却比较充分，靶面能够承受更大功率 的溅射；同时通过旋转机制提高了靶材的利用 率。采用中频溅射方法， * * 该磁场是以圆形平面磁控靶轴线为对称轴的环状场。由磁场形状决定了异常辉光放电等离子区的形状，故而决定了靶材刻蚀区是一个与磁场形状相对称的圆环，边上磁力线密集。从孔里出来的就是靶材原子.屏蔽接地防止二次电子，有二次就有氩离子，就会有轰击，防止非靶材材料溅射。 * * 优点：可以用电流控制磁场 * * 轭铁是电磁铁上的一个可选部件，还在线包中间放置纯铁（称为磁轭），以聚集磁力线，增强线包中间的磁场， 用来增强电磁线圈的吸合力，提高电磁铁的效率。 有电子反射面的，内装磁体式，外装磁体式圆柱形磁控溅射室 * * 极靴的作用是使气隙磁阻减小，改善磁场分布，并使励磁绕组容易固定,集中磁场,使磁场均匀分布,也就是常说的强励磁。 可做为完正的独立插入件，较方便地装入普通蒸发镀膜机中，使其改装成磁控溅射镀膜机 S枪可以安装在镀膜室中任何较方便的位置上，与原有的蒸发源并存，还可以在同一台镀膜机中安装几只S一枪，用以制造多种材料的合金膜。 光学工业、机械工业、国防及民用工业上得到了广泛应用。 * * 难以从大块材料产生均匀溅射 * * * * 2.3.2 磁控溅射源装置 平面型 矩形：应用广泛，尤其适用于大面积平板的连续型镀膜。镀膜均匀性，产品的一致性较好。 圆形:只适合于做小型的磁控源，制靶简单，适合科研中应用。 电磁铁 奥斯特 电流磁效应 电流的磁效应：如果一条直的金属导线通过电流，那么在导线周围的空间将产生圆形磁场。导线中流过的电流越大，产生的磁场越强。 圆柱形 圆柱形磁控溅射靶的结构 磁力线分布 适合镀覆尺寸变化大，形状复杂的工件。 S-GUN 靶材利用率高；枪体结构紧凑，体积较小 靶是圆锥形，不易制备 倒锥形靶材 直流二级溅射 构造简单 溅射速度低，薄膜纯度不高 三级溅射 提供额外电子源，降低溅射气压 放电过程难以控制 射频溅射 可以溅射非导体材料 磁控溅射 通过正交的电磁场作用增加电子离化率，实现“低温”，“高速” 三、磁控溅射实例 3.1 磁控溅射镀膜 基本步骤： 抽真空 传样 通氩气 加磁场 加偏压 起辉 镀膜 进气角阀 磁控室 台阶仪 程序控制 对于单层膜 “ for=1； tx=y； （tx表示第x个靶位的溅射时间，y设定的 溅射时间，以sec为单位） next； ” 对于多层膜（n×i层） “ for=n； （ n为循环次数,i为周期内层数） tx1=y1； tx2=y2； …… ； txi=yi ； next; * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子与其他粒子的碰撞过程：1，弹性碰撞角度是碰前1粒子速度与12粒子中心连线的角度。 M1远小于M2。所以能量转移很少，不会造成气体分子的电离。 2，非弹性碰撞，U是电子部分动能转换为粒子的内能，剩下就是1/2m1v12正好是碰前电子动能，所以把电子大部分能量都转走。引起其他粒子的激发或电离。 因此，电子与其他粒子的非弹性碰撞过程是维持自持放电过程的主要机制。 * * * * 正常辉光放电时电流密度还比较小。 * * * * 大部分金属为10~40eV。与入射离子的质量无明显关系，但随着靶材原子序数增加而减小。 与