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计算题押题练(四)
1.传送带在各行业都有广泛应用,如图所示,一质量为m,电阻为R,边长为L的正方形单匝闭合金属线框随水平绝缘传送带以恒定速度v0向右运动,通过一固定的磁感应强度为B,方向垂直于传送带平面向下的匀强磁场区域。已知磁场边界MN、PQ与传送带运动方向垂直,MN与PQ间的距离为d(dL),线框与传送带间的动摩擦因数为μ,重力加速度为g。金属框穿过磁场的过程中将与传送带产生相对滑动,且右侧边经过边界PQ时又恰好与传送带的速度相同。设传送带足够长,且金属框始终保持右侧边平行于磁场边界。求:
(1)线框的右侧刚进入磁场时所受安培力的大小;
(2)线框进入磁场的过程中运动加速度的最大值以及速度最小值;
(3)线框穿过磁场区域的过程中产生的焦耳热。
解析:(1)闭合线框右边刚进入磁场时产生的感应电动势E=BLv0,
根据闭合电路的欧姆定律可得:I=eq \f(E,R)=eq \f(BLv0,R),
右侧边所受的安培力为:F=BIL=eq \f(B2L2v0,R)。
(2)线框以速度v0进入磁场,在进入磁场的过程中,受安培力而做减速运动;进入磁场后,在摩擦力作用下做加速运动,当其右侧边达到PQ时速度又恰好等于v0,因此线框在刚进入磁场时,所受安培力最大,加速度最大,设为am,线框全部进入磁场时速度最小,设此时线框的速度为v,根据牛顿第二定律可得F-μmg=mam,
解得am=eq \f(B2L2v0,mR)-μg;
在线框完全进入磁场到右边到达PQ的过程中,
根据动能定理可得:μmg(d-L)=eq \f(1,2)mv02-eq \f(1,2)mv2
解得:v=eq \r(v02-2μg?d-L?)。
(3)设线框在进入磁场区域的过程中,克服安培力做的功为W,根据动能定理可得:μmgL-W=eq \f(1,2)mv2-eq \f(1,2)mv02,解得W=μmgd,闭合线框出磁场与进入磁场受力情况相同,由能量守恒定律可得线框在穿过磁场区域的过程中产生的焦耳热Q=2W=2μmgd。
答案:(1)eq \f(B2L2v0,R) (2)eq \f(B2L2v0,mR)-μg eq \r(v02-2μg?d-L?) (3)2μmgd
2.如图所示,一水平放置的传送带,长为L=4 m,上表面距地面高度为h=5 m,以一定的速度顺时针转动。在传送带左端静止释放一小物块(可视为质点),经一段时间从传送带右端水平飞出,落地点距抛出点的水平距离为s=4 m,物块在离开传送带前与传送带达到共同速度。求:(g取10 m/s2)
(1)传送带的速度v;
(2)物块与传送带间动摩擦因数μ的取值范围;
(3)若μ=0.4,物块相对传送带的位移大小。
解析:(1)由h=eq \f(1,2)gt2,可得t=eq \r(\f(2h,g))=1 s
由s=vt
可得v=eq \f(s,t)=4 m/s。
(2)可能的情况:物块先匀加速再匀速或物块一直匀加速。
假设物块一直匀加速,加速度大小为a
由v2=2aL,得a=2 m/s2
由牛顿第二定律得μmg=ma,解得μ=0.2
所以μ的取值范围μ≥0.2。
(3)若μ=0.4,则由牛顿第二定律得μmg=ma′
解得a′=4 m/s2
物块在传送带上加速运动的时间t1=eq \f(v,a′)=1 s
物块加速运动的位移x1=eq \f(v,2)t1=2 m
传送带的位移x2=vt1=4 m
物块相对传送带的位移Δx=x1-x2=-2 m,方向向左。
答案:(1)4 m/s (2)μ≥0.2 (3)2 m
3.如图所示为电子发射器原理图,M处是电子出射口,它是宽度为d的狭缝。D为绝缘外壳,整个装置处于真空中,半径为a的金属圆柱A可沿半径向外均匀发射速率为v的电子;与A同轴放置的金属网C的半径为2a。不考虑A、C的静电感应电荷对电子的作用和电子之间的相互作用,忽略电子所受重力和相对论效应,已知电子质量为m,电荷量为e
(1)若A、C间加速电压为U,求电子通过金属网C发射出来的速度大小ve;
(2)若在A、C间不加磁场和电场时,检测到电子从M射出形成的电流为I,求圆柱体A在时间t内发射电子的数量N;(忽略C、D间的距离以及电子碰撞到C、D上的反射效应和金属网对电子的吸收)
(3)若A、C间不加电压,要使由A发射的电子不从金属网C射出,可在金属网内环形区域加垂直于圆平面向里的匀强磁场,求所加磁场磁感应强度的最小值B。
解析:(1)对电子经 CA 间的电场加速时,由动能定理得
Ue=eq \f(1,2)mve2-eq \f(1,2)mv2
解得:ve=eq \r(\f(2eU,m)+v2)。
(2)设时间t内从A中发射的电子数为N,由M口射出的电子数为n,
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