原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
;一、序言;电子;低温下电子弹性散射的平均时间间隔10-13 秒，平均自由程10nm。;电子自旋极化度;典型的两种效应：巨磁电阻GMR和隧道磁电阻TMR;Co/Cu多层膜;自旋极化度;自旋电子现象研究进程;二、巨磁电阻GMR;(Fe/Cr)n的R/R0磁电阻随周期数n的增加而增大;GMR自旋阀;增加纳米氧化层的自旋阀;GMR的部分应用;2004年 ~170Gbit/in2;GMR隔离器原理与实物;Compassing;;1995年 Miyazaki;制备态和热处理后;单晶MgO做底层，相邻铁形成单晶的 TMR;MgO单晶势垒的磁隧道效应;Spin-dependent tunneling conductance of Fe/MgO/Fe sandwiches
W.H.Butler Phys.Rev.B.Vol 63. 054416 (2001.1) ;计算 Fe/MgO/Fe(k//=0) 隧道态密度TDOS;相干自旋极化隧穿的Fe/MgO/Fe隧道结; 单晶 Fe/MgO/Fe磁隧道结的TMR;CoFe/MgO/CoFe磁隧道结的TMR;;室温;磁性隧道结的应用; Motorola MTJ MRAM structure;MRAM与现行各存储器的比较（F为特征尺寸）;256Kb MRAM chip;Progress in MRAM;国外研究现状和发展趋势;;金属-半导体界面势垒;金属-半导体界面;n 型半导体与金属接触形成的肖特基势垒;自旋注入方式：;I;Reported spin injection efficiency :2% T=25K;;自旋注入的电极材料解决肖特基势垒问题;EF;Crystal structures;Moments in SnO2;Dilute ferromagnetic oxides; TC RT;Calculated Curie temperatures of semiconductors with 5 at% Mn;半导体自旋电子器件;磁隧道三极管 (隧道热电子注入);科学进步提出需求;
;CMS-18HV Model
Magnetron sputtering System
made in USA KJLC;4硅片上MTJ检测结构示意图;VSM 测量结果;室温;Junction size:
4x8μm;0.485 ;R distribution;Vgs栅电压；Ids源漏电流；Vds源漏电压;-300;
文档评论（0）