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BJT 的开关时间: 是指 BJT 管由 截止到饱和 导通 或者由 饱和导通到截止 所需要的时间。 延迟时间 t d — 从 + V B2 加到集 电极电流 i c 上升到 0.1 I CS 所需 要的时间; 上升时间 t r — i c 从 0.1 I CS 到 0.9 I CS 所需要的时间; 开通时间 t on = t d + t r 就是建立基区电荷时间 存储时间 t s — 从输入信号降 到 - V B1 到 i c 降到 0.9 I CS 所需要 的时间; 下降时间 t f — i c 从 0.9 I CS 降到 0.1 I CS 所需要的时间。 关闭时间 t off = t s + t f 就是 存储电荷消散的时间 2 MOS 管的开关特性 CMOS-IC 中,以 MOS 管作为开关器件 一 、 MOS 管的结构和工作原理 P N N G S D 金属铝 两个 N 区 SiO 2 绝缘层 P 型衬底 导电沟道 G S D N 沟道增强型 源极 栅极 漏极 v GS =0 时 P N N G S D v GS v DS i D =0 D 、 S 间 相当于两 个背靠背 的 PN 结 S D B 不论 D 、 S 间有无电压 , 均 无法导通 \ 导电 本章介绍两种类型: TTL 和 MOS 门 电路的 内部结构 、 工作原理 、 逻辑功能 、 电气特性、主要参数等。 继续 TTL 即 T ransistor- T ransistor L ogic CMOS 即 C omplementary M etal- O xide- S emiconductor TTL 集成门电路 CMOS 集成门电路 输入端和输出端都用 三极管的逻辑门电路。 用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。 ● TTL 电路的致命缺点是:功耗大,只能制造 SSI , MSI ,而无法制作 LSI 和 VLSI 。 ★ CMOS 电路的突出 优点 是: 功耗极低 ,非常适 合制作 VLSI 。随着其工艺不断进步,无论在 工 作速度 还是 驱动能力 上,都已不比 TTL 逊色。 ★ CMOS 已经取代 TTL ,成为 IC 的主导技术 ● 不过现有的旧设备中,有的仍在用 TTL ,因此了 解 TTL 的某些知识仍有必要。 条 件 开 关 输入信号满足一定条件时,门开启, 允许信号通过 。 开门状态: 关门状态: 输入信号条件不满足,门关闭, 信号通不过 。 一、什么是门电路? --用来实现 基本 逻辑运算和 复合 逻辑运算的单元电路。 与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。 门 (门电路是数字电路最为基本的逻辑单元) § 2.1 概述 输出和输入 之间存在着一定的 逻辑关系 。 不同的门电路,输出与输入之间的逻辑关系也不同,如: 超大规模 大规模 小规模 中规模 二、数字 IC 的分类 1. 按集成度区分: -- (SSI-Small Scale Integration) , 每片组件 内包含 10-100 个元件 ( 或 10-20 个等效门 ) 。 -- (MSI-Medium Scale Integration) ,每片组件 内含 100-1000 个元件 ( 或 20-100 个等效门 ) 。 -- (LSI-Large Scale Integration) , 每片组件内 含 1000-100 000 个元件 ( 或 100-1000 个等效门 ) 。 -- (VLSI-Very Large Scale Integration) , 内 含 100 000 个元件 ( 或 1000 个以上等效门 ) 。 逻辑门 触发器 编码器、译码器、 数据选择器、加法器、 计数器、 移位寄存器 只读存储器、 随机存取存 储器、 微处理器 、 专用数 字信号处理器 2. 按数字系统设计方法分: ( 1 )通用型中规模( MSI ),小规模( SSI )集成逻辑件 。 ( 2 )微处理器产品,如微处理器、单片机、通用和专用数 字信号处理器等。 ( 3 )专用集成电路 ASIC 全定制 半定制 PLD PROM PLA PAL GAL CPLD FPGA 三、集成门的一般特性 1 、电源电压是多少? 2 、输入和输出的高、低电平对应的电压范围是多少? 3 、抗干扰能力如何?--噪声容限 4 、工作速度快不快?--传输延迟时间 5 、功耗大不大? 6 、带负载能力是否强?--扇入数和扇出数 1 、电源特性: TTL: ( 1 ± 5 %)× 5V; CMOS : (3 ~ 18 ) V 2 、输入和输出的高、低电平: TTL 高电平 低电平 2.4V~5V ,典型值 :3.6V 0V~0.4V ,典型值 :0.3V CM
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