半导体互连专题知识专业知识讲座.pptVIP

本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ? 铜金属互联技术除了以上所述的微细加工、铜阻 挡层、子晶层、铜电镀以外，还有很重要的铜退 火和铜化学机械抛光（ CMP ），这些工序对铜互联 线的质量也至关重要。从可靠性的角度来看，铜 阻挡层、子晶的连续性、电镀铜的无孔性、铜晶 粒的大小、退火的条件（温度、时间、气氛）以 及铜 CMP 的质量，都影响到铜金属布线的电迁移水 平。许多半导体生产厂家为了把铜引入生产线， 为解决器件性能和可靠性作了大量的探索 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ? 铜电镀层的质量对后续工序有很大的影响 ，特别是片间、片内、芯片内非均匀性容 易造成后续的铜 CMP 工艺中凹陷（ dishing, 在图形低密度区域）和侵蚀（ erosion ，图 形高密度区），许多半导体生产厂家采用 铜膜厚总偏差来控制铜电镀层的质量。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ? 随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，人 们将不得不面临新的、更多的挑战。如此 同时，新设计、新工艺、新设备、新材料 和新的检测手段将不断推出，可以预料铜 工艺技术将会得到进一步的发展。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 以 Cu 作为互连材料的工艺流程 因为在很多方面 Cu 的性质与铝不同。所以不能用 传统的以铝作为互连材料的布线工艺。对以 Cu 作 为互连的工艺来说，目前被人们看好并被普遍采 用的技术方案是所谓的 Daul Damascene （双镶 嵌）工艺。其主要特点是对任何一层进行互连材 料淀积的同时，也对该层与下层之间的 Via 进行 填充，而 CMP 平整化工艺只对导电金属层材料进 行，因此，与传统的互连工艺相比，工艺步骤得 到简化，相应的工艺成本得到降低，这是铜互连 工艺技术所带来的另一优点。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 以 Cu 作为互连材料的工艺流程 淀积刻蚀停止层 淀积介质材料 光刻引线沟槽图形 刻蚀引线沟槽 去掉光刻胶 光刻通孔图形 刻蚀通孔 去掉光刻胶 去掉刻蚀停止层 溅射势垒和籽晶层 金属填充通孔 CMP 金属层 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 36 IC 互连金属化引入铜的优点 1. 电阻率的减小： 互连金属线的电阻率减小可 以减少信号的延迟，增加芯片速度。 2. 功耗的减少： 减小了电阻，降低了功耗。 3. 更高的集成密度： 更窄的线宽，允许更高密 度的电路集成，这意味着需要更少的金属层 。 4. 良好的抗电迁移性能： 铜不需要考虑电迁徒 问题。 5. 更少的工艺步骤： 用大马士革 方法处理铜具 有减少工艺步骤 20 ％ to 30 % 的潜力。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ? 集成电路互连技术简介 ? 早期互连技术：铝互连 ? 目前应用最广泛的互连技术：铜互连 ? 下一代互联材料与互连技术：碳纳米管互连 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 集成电路互连技术简介 什么是集成电路 互连技术？ 所谓的集成电路 互连技术，就是 将同一芯片内各 个独立的元器件 通过一定的方式， 连接成具有一定 功能的电路模块 的技术。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 集成电路对互连金属材料的要求： ? 具有较小的电阻率 ? 易于沉积和刻蚀 ? 具有良好的抗电迁移特性 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 电迁移现象： 金属化引线中的电迁移现 象是一种在大电流密度作 用下的质量输运现象。质 量输运是沿电子流动方向 进行的，结果在一个方向 形成空洞，而在另一个方 向则由于金属原子的堆积 形成小丘。前者将使互连 引线开路或断裂，