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本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 单晶和多晶基本知识 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时 , 硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核 ，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向 不同的晶粒，则形成多晶硅。 单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（ CZ ）、区熔法（ FZ ）和外延法。直拉法、 区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 上料 制绒 HF 清洗 预清洗 温水隔离 纯水清洗 纯水隔离 盐酸清洗 纯水清洗 喷淋 漂洗 预脱水 烘干 下料 1 单晶制绒的工艺过程 ： 单晶部分 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 2 、制绒的目的： 1 去除硅片表面的机械损伤层。 2 减少光的反射。 酸洗的目的： 1 氢氟酸：去除表面氧化物。 2 盐酸：去除金属离子 。 3 、制绒的原理 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向 异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 。角锥体 四面全是由〈 111 〉面包围形成。 反应式为： Si+2NaOH+ H 2 O → Na 2 SiO 3 + 2H 2 ↑ 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 4 影响绒面质量的关键因素： 好的绒面质量受哪些因 素控制？ 时间 温度 其他 硅酸钠含量 异丙醇浓度 NaOH 浓度 5 、制绒工艺异常 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 工 序 故障表现 诊 断 措 施 制绒 清洗 绒面稀疏、黑白相间、 反射率偏高（所谓不出 绒面说法） 1NaOH 与 IPA 比例失调。 IPA 含 量过高，抑止反应进行， 如 IPA 含量过高，向制绒液中补纯水和 NaOH NaOH 含量偏低，不能充分进 行反应。 如 NaOH 含量偏低，向制绒液中补加 NaOH 表面清洁度不好 经技术员确认后退库 晶片承载器形成两条白 边 白边部份硅片反应不够充分， 这部份对于无白边部分偏厚。 提高 NaOH 含量浓度比增加 0.1%~0.2% ，如该现象 较普遍，对承载盒作碱液浸泡处理。 单晶硅片四边都有白边 仍有白边部份硅片反应不够充 分，这部份对中间无白边部份 偏厚。换言之，整个硅片化学 反应不够均匀，中间部份反应 放热不易，导致反应激烈。 降低反应温度（关闭加热 5min ），延长反应时间直 至硅片表面全部发黑。 雨点状 有雨点状白色部份，显然该处 反应缓慢造成那一部份偏厚， 由 于 IPA 的含量偏低无法及时 带走氢气，造成氢气泡粘附或 氢气泡移动缓慢形成。 1. 轻微雨点，向制绒液中添加 1-2 瓶 IPA 延长反应 时间直至雨点消失。 2 ．雨点现象严重，添加 1-2 瓶 IPA 和 0.3-0.6 瓶 NaOH 延长反应时间至雨点消失。 3 ．该现象非常严重，该筐硅片返工，该槽制绒液 重新配制。 如该现象普遍（每个制绒槽均 出现），可能是由原材料不纯 引起。 通知技术员，由技术员分析确认原因并解决。 绒面角锥体过大 反应温度过高（显示温度与实 际温度不符） 经技术员确认后，通知设备人员调整。 NaOH 浓度过高，反应时间过长。 下一筐补液时适当减少 NaOH 添加量或适当降低反 应时间。 类似水痕 硅酸钠残留，制绒后没有保持 硅片湿润 制绒后禁止将硅片长时间暴露在空气中 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 多晶部分 上料 制绒 吹干 水洗 吹干 碱洗 水洗 酸洗 水洗 吹干 1 、多晶制绒的工艺过程 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 1. 去除硅片表面损伤层 2. 降低太阳光的反射 3. 形成利于 PN 结平整性的绒面