一单极型半导体器件培训资料.pptVIP

第三章 单极型半导体器件;绝缘栅场效应晶体管 （金属-绝缘体-半导体场效应晶体管） （金属-氧化物-半导体场效应晶体管） （IGFET：MISFET，MOSFET）：表面场效应晶体管。 基本结构 金属 - 半导体结构（M-S 结构）。 金属 – 氧化物 – 半导体结构（MOS 结构）。;3.1 金属 – 半导体接触;能带结构（Al - n-Si）  ;能带弯曲，形成势垒。;势垒 阻挡层（肖特基势垒）：对多子其阻挡作用（电阻高）。 反阻挡层（肖特基势阱）：对多子起“反”阻挡作用（电阻低）。 由式（2- 32）得出，肖特基势垒宽度 为： （3- 6） [ 例题 7 ] 画出金属（功函数 ）- 半导体（功函数 ）结 （包括 n、p 型）四种平衡状态的能带图。;[ 分析 ];二、 非平衡时的能带结构;;2. 电容效应;[ 例题8 ] 金属 a，b分别与等面积的两种 （且迁移率 相同）A 和 B 形成肖特基整流接触，这两个 MS 结 的实验曲线如下图，判断哪种半导体硅的电阻率较