硅基应变与soi技术21世纪的硅集成电路技术1.pptxVIP

硅基应变与SOI技术-21世纪的硅集成电路技术;集成电路的应用;;;;;摩尔定律（Moore’s Law） -微电子发展的规律 ;国际半导体技术路线图;当MOSFET尺寸缩小到100nm以下时，栅氧化层的等效厚度小于3nm, 隧穿效应和栅介质层的电场很大，其漏电流和可靠性将十分严重。必须寻找新的高K栅介质材料! 沟道长度缩短到接近载流子平均自由程时，使原有的载流子平衡输运理论不再适用。必须建立新的器件物理模型!;深亚微米器件互连线所占面积几乎与器件面积相等； 在特征尺寸小于250nm以后，Al互连的RC延时将主宰整个电路延时； 130nm之后，Cu互连的延迟时间也将成为影响电路性能的主要因素。;当今IC工艺的三大关键技术;IBM综合应用SOI、应变Si和Cu互连技术的微处理器;Why Strain?;硅基应变材料;Why SiGe?;SiGe HBT在国外已经成熟，主要应用RF电路与高速电路。 1996年，巴尔的摩公司的S波段230W SiGe HBT脉冲功率晶体管，工作频率为2.8GHz。 2002年，IBM特征频率高达350GHz的SiGe HBT。 2004年，Germany IHP公司制造出 fT=300GHz，fmax＝250 GHz，门延迟时间小于3.3ps的SiGe HBT； 2004年，Germany Infineon公司制造出fT=225GHz，fmax＝300 GHz，门延迟时间小于3.2ps的SiGe HBT； 2004年，IBM公司制造出fT=300GHz，fmax＝350 GHz，门延迟时间小于3.3ps的SiGe HBT。;SiGe应用;SiGe的主要市场：通讯;分频器、集成电压控制振荡器(VCO)、低噪声放大器(LNA)系列、A/D转换器、D/A转换器、比较器、混频器、功率放大器、移动电话电路、低相位噪声晶体管、双极异质结晶体管（HBT）、宽带低噪声SiGe晶体管、低相位噪声振荡器、中频放大器、射频低噪声放大器、射频驱动放大器、5.2GHZ单片收发器、GPS接收器、射频收发前端、单片收发前端芯片、大动态范围混频器、综合器、双频带混频器系列、信频器、多速率时钟恢复和限制放大器、多速中串并/并串转换器接口、单片限制放大器、跨阻放大器、RSP单片收发器和高速光纤收发模块，等等。;Why Strained Si?;Strained Si工艺;局域应变：工艺致单轴应变Si;Strained Si by DSL;全局应变：晶圆级外延双轴应变Si;局域双轴应变Si;Strained Si的主要应用-高端数字COMS;Si基CMOS技术路线图;SOI;Why SOI;SOI技术的特点与优势;SOI的应用;SOI技术;SIMOX：Separation by Implanted Oxygen 1978年，日本人Izumi等人首先报道了将“O+” 注入硅中，在硅薄膜下380nm处形成了210nm 厚的SiO2层。;氧离子注入剂量：2X1018 cm-2； 注入温度：600-650℃； 退火参数：1300-1350 ℃，6h。;SOI技术;SDB形成的SOI材料的顶层硅是体硅的一部分，在该硅层上制造的器件，其性能可与体硅器件相媲美，避免了用其他方法制备的SOI材料因顶层硅层的质量问题而引起器件性能的退化。;3、Smart-cut?智能剥离技术;SOI技术;Smart-cut工艺;Smart-cut的剥离机理;Smart-cut的优点：;4、ELTRAN?;5、Nano Cleave?;SOI技术发展的新动向;SiO2绝缘埋层由于低热导率，存在自加热问题，因而造成了器件迁移率、阈值电压以及泄漏电流退变。 用具有更高的热传导率的AlN，Al2O3取代SiO2。 ;1）SGOI（SiGe on Insulator，绝缘层上锗硅） SiGe 称为第二代硅新技术。 SGOI兼有SOI技术和SiGe技术的优越性，能改善MOS器件性能，对制造高性能、低功耗器件是非常理想的。;3）晶圆级单轴应变SOI 单轴应变硅：迁移率提升高；高电场下空穴迁移率提升不退化。 工艺技术：Smart-Cut + 机械弯曲； 适于大尺寸应变器件;SOI器件与电路的工艺和设计特点;新型SOI MOS器件;应变沟道的电子和空穴 迁移率大幅提高； 1）应变Si沟道 2）应变SiGe沟道;目的：增强栅的控制； 特性：阈值电压漂移减； 沟道效应降低； 种类：平面双栅； 垂直双栅。;三栅MOS、Pi栅MOS、Ω栅MOS、围栅MOS；;5.FINFET器件;发明了Smart-Cut； 1995年，0.5μm FD SOI CMOS工艺，MPU（一个CPU、一个SRAM、一个ROM组成）； 1998年，0.18