材料合成与制备_第三章.ppt

2）. 高频溅射 可溅射绝缘体靶； 高频放电的点燃电压远低于直流的放电电压 缺点： 与蒸镀法相比，直流溅射和高频溅射的 成膜速率都非常小，限制了其推广应用 3）. 磁控溅射 与二极或高频溅射相比，大大提高了溅射速度 a b c 电子运动路程增加，有效增加气体电离。 4）. 反应溅射 5）. 离子镀 为溅射化合物薄膜，通常在反应气氛下实现溅射，即将活性气体混入放电气体中，就可以控制成膜的组成和性质，这种方法叫反应溅射。 将真空蒸镀与溅射结合起来，利用真空蒸镀来镀膜，利用溅射来清洗基片表面。 离子镀膜装置 3.7　三束技术与薄膜制备 三束：激光束、离子束、电子束 原 理： 在超高真空条件下，将各组成元素的分子束流以一个个分子的形式喷射到衬底表面，在适当的温度下外延沉积成膜。 分子束外延（MBE） 3.7.1　激光辐照分子外延 目前MBE的膜厚控制水平达到单原子层，可用于制备超晶格、量子点，及3-5族化合物的半导体器件。 应 用 超晶格 量子点 　外延成膜过程在超高真空中实现束源流的原位单原子层外延生长，分子束由加热束源得到。 激光辐照分子外延（LMBE） 脉冲激光沉积(PLD) 利用脉冲聚焦激光烧蚀靶材，使靶的局部在瞬间受高温汽化，在真空室内的惰性气体羽辉等离子体作用下活化，并沉积到衬底的一种制膜方法。 1）. 薄膜生长过程 等离子体羽辉 生长过程：激光照射使靶材局部熔化蒸发，产生 原子、分子或者分子团簇，之后在激光能量的进 一步激发下形成等离子体羽辉。沉积在基片表面， 形成薄膜 控制淀积速率和成膜条件，结合退火处理就可以 得到优良的外延薄膜 2）. L-MBE生长薄膜的机理 　本质上是在分子束外延条件下实现激光蒸镀 　在较低的气体分压下使激光羽辉中的物质的 　　平均自由程远大于靶与基片的距离 　高质量的L-MBE膜的主要特征是单相性， 　　表面平滑性和界面完整性 3）. L-MBE方法的技术特点 　可以原位生长与靶材成分相同的化学计量比 　　的薄膜； 　可以精确控制外延膜生长，适合于进行薄膜生长的人工设计和剪裁； 　适合在一台设备上制备多种材料薄膜； 　可用于成膜机理研究。 其原理类似于电子束蒸发法。 准分子激光蒸发镀膜方法 1）. 原理和工艺过程 3.7.2. L-MBE方法应用 2）. 准分子激光蒸镀的工艺特点 　入射激光的能量超过一定阈值，靶上各种元 　　素都具有相同的脱出率； 　从靶面飞出的粒子前向速度高，大大增强了 　　薄膜生长过程中原子之间的结合力； 　粒子的空间分布与激光束角度无关，所得薄 　　膜均匀； 　温度高，能量集中，淀积速率快。 　薄膜表面光洁度高。 电子束聚焦（静电聚焦、磁场聚焦） 3.4.3　合金、化合物的蒸镀方法 1). 合金的蒸镀 　闪蒸蒸镀法 　双蒸发源蒸镀法 薄膜材料 加料斗 滑槽 振动轮 基片 蒸发源 闪蒸蒸镀原理 关键技术是： 蒸发源独立工作 设置隔板 双蒸发源蒸镀原理 2). 化合物蒸镀方法 电阻加热法 反应蒸镀法 双蒸发源蒸镀法 　 （三温度法） 导入O2/空气 空气导入口 导入O2/空气 断流阀 加热器 加热器 基片 SiO-O2-空气反应蒸镀制SiO2膜原理 可调泄漏阀 三温度法 工作原理：双蒸发源蒸镀＋反应蒸镀 　　　　　 基片(GaAs,Ge等；425~450℃ ) 加热炉 高真空泵 加热器 加热器 As蒸发源(~295℃) Ga蒸发源(~910℃) 三温度法制备GaAs单晶膜原理 4 改进三温度法 （分子束外延法，四温度法） 原理： 　使蒸发源发出的所有组 　成元素分子呈束状，而 　不构成整个腔体气氛。 加热器 基片 液氮 分子束外延原理 液氮 GaAsxP1-x 分子束外延 分子束外延是以蒸镀为基础发展起来的技术。 指在单晶基体上成长出位向相同的同类单晶体（同质外延），或者成长出具有共格或半共格联系的异类单晶体（异质外延）。 外 延 外延方法很多，有气相外延法、液相外延法、真空蒸发外延法、溅射外延法等。 film substrate 同质外延 异质外延 压应力 张应力(拉应力) 压应变（ae as） 同质外延（ae= as） 张应变（ae as ） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?