材料合成与制备方法 复习.ppt

考试方式：闭卷 满分：100分 题型 一、填空题（1分×10空） 二、选择题（2分×10） 三、名词解释（5分×4） 四、简答题（6分×5） 五、论述题 （10分×2）（前四章）;1-溶胶－凝胶法;2. 凝胶（Gel）胶体颗粒或高聚物分子相互交联，空间网络状结构不断发展，最终使得溶胶液逐步失去流动性，在网状结构的孔隙中充满液体的非流动半固态的分散体系，它是含有亚微米孔和聚合链的相互连接的坚实的网络。;2. 提高溶胶稳定性的三个基本途径 (1)使胶粒带表面电荷；(2) 利用空间位阻效应；(3)利用溶剂化效应。 ;1. 如何用溶胶凝胶法制备薄膜及涂层？;3. 凝胶的产生途径有哪些？;4. 溶胶形成过程中水解度的影响（加水量），并举例说明？;（2）当加水量增大时：由于水解速度快，聚合反应主要或全部以失水缩聚的方式进行，从而形成具有二维或三维结构的聚合物，其水解和缩聚反应可表达为： 总的净反应为： ;水热法在特制的密闭反应器（高压釜）中，采用水溶液作为反应体系，通过对反应体系加热、加压(或自生蒸气压），创造一个相对高温、高压的反应环境，使得通常难溶或不溶的物质溶解，并且重结晶而进行无机合成与材料处理的一种有效方法。 ;水热生长体系中的晶粒形成有哪三种机制？;（1）营养料在水热介质里溶解，以离子、分子团的形式进入溶液（溶解阶段）； （2）由于体系中存在十分有效的热对流及溶解区和生长之间的浓度差，这些离子、分子或离子团被输运到生长区（输运阶段）； （3）离子、分子或离子团在生长界面上吸附、分解与脱附； （4）吸附物质在界面上的运动； （5）结晶。;粉体的晶粒粒度与粉体形成时的成核速度有关，成核速度越快，由此制得的粉体的晶粒粒度就越小，对于溶液体系，如果采取一定的措施，加快成核速度，即在相对较短的时间内形成相对较多的晶核，由于在成核过程中溶质被大量消耗，在生长过程所提供的溶质就会相对减少，则可以使产物的晶粒粒度减少。 ;在高温高压的水热体系中，水的性质发生哪些变化及对水热反应的影响？ 离子积升高，水的电离常数随反应温度压力的上升而增加，常温常压不溶于 水的矿物或有机物会溶解，水热条件下也能诱发离子反应或促进水解反应。 水的粘度和表面张力随温度升高而下降，这使得离子和分子的活动性大为增 加，在水热溶液中存在着十分有效的扩散，从而使得水热晶体生长较其他水 溶液晶体生长具有更快的生长速率。 水的热扩散系数增加，水的密度降低水热溶液比常温常压下具有更大的对流 驱动力，促进基元物质在界面运动，有利于成核结晶。 蒸汽压变高，可以增加分子间碰撞的机会而加速反应 ;3-电解合成;什么是电动势和理论分解电压？ 电动势：在一个电化学反应器中，当无电流通过时，两电极之间自发产 生的电位差。 对电解池来说，则为电解反应所需的最低电压值，也就是理论分解电压。 ;什么是电解定律（法拉第定律） 电解时，电极上发生变化的质量与通过的电量成正比，且每通过1F电量 可析出1mol任何物质。;在电极与溶液之间形成的界面上进行的电极反应分为哪几个步骤？ 反应物粒子自溶液本体向电极表面传递 反应物粒子在电极表面或电极表面附近液层中进行某种转化 在电极与溶液之间的界面上进行得失电子的电极反应 电极反应产物在电极表面或电极表面附近液层中进行某种转化 电极反应产物自电极表面向溶液本体传递。 ;什么是阳极效应？端电压急剧升高，电流则强烈下降，同时，电解质与电极之间呈现润湿不良现象，电解质好像被一层气体膜隔开似的，电极周围还出现细微火花放电的光圈。;4-化学气相沉积;在一个基片上沉积多层薄膜时采用模块式CVD： 多个反应室，不同薄膜分别沉积，互不干扰；基片通过机械手在真空下传递，不引入外界污染。;什么是气缺现象？如何减缓这种现象？ 在LPCVD系统中，因为表面反应速度控制沉积速率，而表面反应速度又正比于表面上的反应剂浓度，要想在各个硅片表面上沉积厚度相同的薄膜，就应该保证各个硅片表面上的反应剂浓度是相同的。 然而对于只有一个入气口的反应室来说，沿气流方向因反应剂不断消耗，靠近入气口处沉积的膜较厚，远离入气口处沉积的膜较薄 ，称这种现象为气缺现象。;(1)由于反应速度随着温度的升高而加快，可通过在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高沉积速率，补偿气缺效应的影响，减小各处沉积厚度的差别。 (2)采用分布式的气体入口，就是反应剂气体通过一系列气体口注入到反应室中。需要特殊设计的沉积室来限制气流交叉效应。(3)增加反应室中的气流速度。当气流速度增加的时候，在单位时间内，靠近气体入口处的沉积速率不变，薄膜沉积所消耗的反应剂绝对数量也就没有改变，但所消耗的比例降低，更多的反应剂气体能够输运到下游，在各个硅片上所沉积的薄膜厚度也变得更均匀一些。;化学气相沉积按照哪五个主要步骤进行？