GaN基高压LED芯片结构设计与制备_图文.docVIP

L 硕士学位论文 GaN 基高压LED 芯片结构设计与制备 作者姓名 钟炯生 学科专业 光学 指 导 教 师 王洪教授 黄华茂博士 所 在学院 理学院 论文提交日期 2013年5月 GaN-based high-voltage LED chip structure design and preparation A Dissertation Submitted for the Degree of Master Candidate ：Zhong Jiongsheng Supervisor ：Prof. Wang Hong South China University of Technology Guangzhou, China *This work was supported by the Key technologies RD Program of Guangdong Province (2009A080301013, 2010A080402009, the Strategic Engineering Industry Special Funds of Guangdong Province (2010A081002009, 2011A081301004，2012A080302003, and the Key Technologies RD Program of Guangzhou City (010U1-D00221,2011Y5 -00006. I 摘 要 发光二极管（Light Emitting Diode，LED ）由于拥有高光效、低耗能、长寿命、无毒绿色等优点正逐步成为传统照明市场的主流照明光源，在景观照明、道路照明、室内照明等领域得到愈来愈多的应用。近几年，高压LED （High-V oltage LED）方面研究的兴起，意味着传统小电压LED 芯片已经不足以满足人们在产品驱动电路设计上的需求。同时，高压LED 芯片，解决了才传统LED 芯片多晶封装中存在的可靠性问题，并以其小电流驱动、简洁的驱动电路设计等优点逐渐进入照明应用研发人员的视线。本课题使用目前主流的LED 芯片制备工艺和制备技术，对高压LED 芯片结构设计进行了基础性的研究。 针对高压LED 芯片的结构设计当中电极连接桥铺设时，容易出现断桥、漏电等问题优化芯粒间连接桥结构。使用电感耦合等离子体（ICP ）刻蚀机，调整刻蚀参数，在没有BCl 3的条件下，刻蚀芯粒隔离槽的同时，将芯粒刻蚀出正梯形结构。正梯形底角平均角度为70.2°，使得铺设电极连接桥时，电极可以沿着芯粒边缘的梯形结构到达隔离槽底部，再从隔离槽底部上升到另一个芯粒的电极上，增强了电极稳定性，有效防止漏电情况的出现，优化生产良率。 针对LED 芯片侧面内全反射引起的光吸收效应，制备一种带侧面波浪形微结构的高压LED 芯片。在不增加制备流程的情况下，制备出相应的高压LED 芯片，并进行白光封装以及随机选片光电测试。测试结果表明，灯珠的显色指数封装后测试结果平均值超过82，而最高光效达到101.7lm/W。封装出较高的显色指数会在一定程度上降低出光效率和光输出功率。在改进封装工艺后，光效可以得到一定程度的提高。 关键词：HVLED ；高压LED 芯片；电极连接桥；正梯形结构 Abstract Light-emitting diodes with the advantages of high light efficiency, low energy consumption, long life, non-toxic green gradually become the mainstream lighting source in lighting market. They have been used to landscape lighting, road lighting, indoor lighting and other fields more and more frequently. In recent years, the rising of the high-voltage LED, means that the traditional low voltage LED chip has been insufficient to meet the needs of the people in the design of the driving circuit. With its small current driving, high-voltage and simple driving circuit designing, HV-LED comes into the line of