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第三章
半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布
第三章第三章Part 1
3.1 状态密度
33.22 费米能级和载流子的统计规律费米能级和载流子的统计规律
3.33.3 电子和空穴浓度的电子和空穴浓度的一般表达式般表达式
3.4 本征半导体的载流子浓度
3.5 杂质半导体的载流子浓度
3.6 杂质补偿半导体
33.77 简并半导体简并半导体
3.1 状态密度
状态密度g(E) dZ(E)
g ( E )
dEdE
表示在能带中能量E附近单位能量间隔内的量子态数。
dZ 为E到E+dE 内的量子态数
计算状态密度的方法：
11、kk空间的量子态密度空间的量子态密度
2、dZ或Z(E)
dZ k空间量子态密度×能量间隔对应的k空间体积
Z(E)=Z(E)=kk空间量子态密度空间量子态密度××能量为能量为EE 的等能面在的等能面在kk空间的体积空间的体积
一、导带底附近的状态密度
1、k空间的量子态密度
对于边长为对于边长为LL的立方晶体的立方晶体，波矢波矢 kk 的三个分量为的三个分量为：
n n n
x y z
即( ， ， )
kkxx ,,kkyy ,,kkzz kxx LL kyy L kzz LL
其中 n ,n ,n 取 0，±1，±2…
x y z
每每一个代表点都与体积为个代表点都与体积为 1 1 的的一个小个小
立方体相联系 L3 V
即 k 空间中，电子的状态密度是V
若考虑电子的自旋若考虑电子的自旋，量子态密度是量子态密度是2V2V。
一、导带底附近的状态密度
22、求dZdZ或ZZ
①①等能面为球面等能面为球面：：
2 2
1 h k
假设导带底在k=0，即 EE ((kk )) EECC ++
*
2 m
n
以kk 为半径的球面对应E，以 kk ++dd kk 为半径的球面对应E+dE
dZdZ 2V2V ××44ππkk 2 dkdk
由由EE - kk 关系可解得关系可解得：
1 1
∗ 2 2 ∗
(2m ) (E - E ) m dE
n C
kk
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