物理学实验 实验预习报告.pdfVIP

实 验验 预  习 报 告  姓    名：李子子汨      班    级：   学     号：50603091008  同组组姓名：          指导教师：      实验日期：2007/09/211  硅光电电池特性的研究   实验验原理：   硅光光电池的照照度特性   1. 硅光电电池的短路电电流与照度关系    硅光光电池的负载特性  当硅光电池池接上负载 R 时，硅光电池池工作可以在在反向偏置电电压状态或无无偏压状态。它的 伏安安特性见图 2。由图中可见见，硅光电池池的伏安特性性曲线由二个个部分组成：  1. 反偏工工作状态，光光电流与偏压、负载电阻几几乎无关（在在很大的动态态范围内）； 2. 无偏工工作状态，光光电二极管的光电流随负载载电阻变化很很大。 由图2 可看看到，在一定定光照下，负载曲线在电流流轴上的截距距是短路电流流I ，在电压压轴