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电流检测方法 1 传统的电流检测方法 1. 1 利用功率管的RDS进行检测( RDS SENSIN G) 当功率管(MOSFET) 打开时,它工作在可变电阻区,可等效为一个小电阻。MOSFET 工作在可变电阻区时等效电阻为: 式中:μ 为沟道载流子迁移率; COX 为单位面积的栅电容;V TH 为 MOSFET 的开 启电压。 如图 1 所示,已知 MOSFET 的等效电阻,可以通过检测 MOSFET 漏源之间的电压 来检测开关电流。 这种技术理论上很完美,它没有引入任何额外的功率损耗,不会影响芯片的效率, 因而很实用。但是这种技术存在检测精度太低的致命缺点: (1) MOSFET 的RDS本身就是非线性的。 (2) 无论是芯片内部还是外部的 MOSFET ,其 RDS 受 μ, COX ,V TH 影响很大。 (3) MOSFET 的RDS随温度呈指数规律变化(27～100 ℃变化量为 35 %) 。 可看出,这种检测技术受工艺、温度的影响很大,其误差在- 50 %～ + 100 %。 但是因为该电流检测电路简单,且没有任何额外的功耗,故可以用在对电流检测精度 不高的情况下,如 DC2DC 稳压器的过流保护。 图 1 利用功率管的 RDS 进行电流检测 1. 2 使用检测场效应晶体管(SENSEFET) 这种电流检测技术在实际的工程应用中较为普遍。它的设计思想是: 如图 2 在 功率MOSFET 两端并联一个电流检测FET ,检测FET 的有效宽度W 明显比功率MOSFET 要小很多。功率MOSFET 的有效宽度W 应是检测FET 的 100 倍以上(假设两者的有效 长度相等,下同) ,以此来保证检测FET 所带来的额外功率损耗尽可能的小。节点S 和M 的电流应该相等,以此来避免由于FET 沟道长度效应所引起的电流镜像不准确。 图 2 使用场效应晶体管进行电流检测 在节点S 和M 电位相等的情况下,流过检测FET的电流IS 为功率MOSFET 电流 IM 的 1/ N ( N 为功率FET 和检测FET 的宽度之比) , IS 的值即可反映 IM 的大 小。 1. 3 检测场效应晶体管和检测电阻相结合 如图 3 所示,这种检测技术是上一种的改进形式,只不过它的检测器件不是FET 而是小电阻。在这种检测电路中检测小电阻的阻值相对来说比检测FET 的RDS要精确 很多,其检测精度也相对来说要高些,而且无需专门电路来保证功率FET 和检测FET 漏端的电压相等,降低了设计难度,但是其代价就是检测小电阻所带来的额外功率损 耗比第一种检测技术的 1/ N 2 还要小( N 为功率FET 和检测FET 的宽度之比) 。此 技术的缺点在于,由于M1 ,M3 的V DS不相等(考虑VDS对IDS的影响), IM 与IS 之比 并不严格等于N ,但这个偏差相对来说是很小的,在工程中N 应尽可能的大, RSENSE 应尽可能的小。在高效的、低压输出、大负载应用环境中,就可以采用这种检测技术。 图 3 场效应晶体管与电阻相结合进行电流检测 2 新型的电流检测方法 在图 4 中,N_DRV 为BUCK稳压器的同步管栅极驱动信号,N_DRV_DC 为N_DRV 经 过 1 个三阶RC低通滤波器之后滤出的直流分量,并且该直流分量为比较器的一端输 入,比较器的另一端输入为一基准电压值BIAS3 ,比较器的输出LA28 (数字信号,输出 到芯片的控制逻辑) 为DC2DC 负载电流状态检测信号。