光刻光刻胶显影和先进的光刻技术.pptVIP

第 15 章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 第 15 章光刻：光刻胶显影 和先进的光刻技术 第 15 章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 2020/3/20 集成电路工艺 2 目标 ? 如何对光刻胶进行曝光后烘培以及原因 ? 描述光刻胶的正负胶显影工艺 ? 列出两种最普通光刻胶显影方法和关键的显影参 数 ? 陈述显影后要进行坚膜的原因 ? 解释显影后检查的好处 ? 列出并描述 4 种不同的先进光刻技术及面临的挑战 第 15 章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 2020/3/20 集成电路工艺 3 提纲 ? 1. 引言 ? 2. 曝光后烘培 ? 3. 显影 ? 4. 坚膜 ? 5. 显影检查 ? 6. 先进的光刻技术 ? 7. 显影质量测量 第 15 章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 2020/3/20 集成电路工艺 4 1. 引言 ? 通过显影液将可溶解的光刻胶溶解掉就是光刻胶显影，显 影除去了由曝光造成的可溶解的光刻胶。 ? 光刻胶显影的目的是在光刻胶中获得准确的掩膜版图案的 复制，同时保证光刻胶粘附性可接受。 ? 光刻胶显影和检查是进入下一步刻蚀或离子注入之前的图 形转移工艺的中间步骤。光刻胶图形的质量决定了随后工 艺的成功与否。 ? 光刻胶的显影步骤依赖于它是正胶或负胶，是常规 I 线胶 (DNQ 线性酚醛数值 ) 或化学放大深紫外线光刻胶 (CA DUV) 。 ? 亚微