第5章半导体二极管及基本电路讲义资料.pptVIP

第5章 半导体二极管 及基本电路;5.1 半导体的基础知识; 半导体经高度提纯并制成晶体后，原子间组成某种形式的晶体点阵，这种半导体称为本征半导体。也就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。; 1）自由电子和空穴的形成; 2）载流子的形成;二.杂质半导体;在硅（或锗）的晶体中掺人少量的五价元素（如磷元素），如图所示，多余的第五个价电子很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。;;自由电子数 ＜＜ 空穴数 少数载流子 多数载流子 以空穴导电作为主要导电方式的半导体，称为空穴半导体或 P型半导体 (P —type semiconductor ) 。;掺杂浓度;⒈ 半导体中存在着两种载流子---自由电子和空穴。因此，半导体的导电原理明显区别于导体。 ⒉ 在本征半导体中掺微量杂质可以控制半导体的导电能力和参加导电的主要载流子的类型。 ⒊ 环境的改变对半导体导电性能有很大的影响。例如当温度增加或受到光照时，半导体导电能力都有所增加。半导体热敏器件和光敏器件都是利用这一特性制造的。;三. P N 结;注意： 1）空间电荷区的正负离子虽带电，但它们不能移动，不参与导电。因区域内的载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高。 2）内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区--PN结又称为阻挡层或耗尽层。;2. P N 结的单向导电性;2） PN 结加反向电压;PN 结变宽;3） PN 击穿;5.2 半导体二极管;二. 伏安特性（V—A特性); ;1）正向特性： OA段：当 UF ＜ UT （死区电压）时外电场不 足以克服结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流 IF 很小(I F ≈0)， D处于截止状态。 硅(Si)：U T ≈0.5V; 锗(Ge): U T ≈0.1V。 AB段：当 U F ＞U T后， Ed↓↓→扩散运动↑ ↑ → I F ↑ ↑ → D 导通。 D导通时的正向压降，硅管约为(0.6~0.7)V，锗管约为(0.2~0.3)V。;2） 反向特性;综述：;三. 主要参数; 二极管的应用很广，其基本电路有整流电路、开关电路、限幅电路等。由于二极管是非线性器件，分析电路时常采用模型分析法。 理想模型 恒压模型 ; 例 1.; 例 2.; 例 3.;5. 4 稳???二极管（DZ);分析：;二. 主要参数; 例 1.;5.5 二极管和稳压管在直流电源中的应用 ;图中各环节的功能如下：;一、变压;二、 整流电路;3）主要参数 (1) 单相半波整流电压的平均值UO;(3) 二极管中的平均电流ID;1）. 电路组成： 原理图如图所示;2）工作过程;单相桥式整流电路波形图;3）主要参数;(3) 二极管中的平均电流ID;4）整流元件及变压器的选择;例1:; (2) 整流变压器的变比和容量： 变比 ;三、 滤波电路;2）. 工作过程;b) 当 u2 ＜uC ，且π/ 2 ＜ωt ＜π时;(2) u2 ＜0 (负半周)， a) 在π＜ωt ＜3π/ 2，当 uC＜| u2 |＜U2m 时， D2、D4 导通， D1、D3 截止，有:iD = iC + iO, uC = uO，电容充电。;3）. 参数估算;(1) C=(3 ~ 5)T/(2RL) (2) 在(1) 条件下，有：UO = (1.1~1. 2 )U2 , 一般取： UO =1. 2 U2 (3) 输出电流平均值： ;例2:;(2) 选择 滤波电容器 据式 τ= RL×C≥（3～5）T/2 取 RL×C=5T/2 且 f = 50 HZ T = 1 / f = 0.02 s;2. 电感低通滤波器;2）. 分析 (1)∵ XL =ωL，随谐波 f ↑→ XL ↑ ∴可以减弱整流电压中的交流分量，在负载上可得到低频分量； (2)∵当 f = 0时， XL = 0， ∴直流分量全部降在负载 RL 上。 可见， XL滤去高次谐波，输出端得到较为平坦的输出电压。;四、 稳压电路; 根据电路结构有： UO = UZ = Ui－IR*R (6.9) IR = IZ + IO (6 .10);(2) Ui不变，负载 RL变化的稳压过程： RL