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- 2020-06-03 发布于天津
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第四章 存储器系统 ;4.1 存储器的分类;;二、 半导体存储器分类;;;三、存储器的主要技术指标 ;四、存储器的系统结构;;;;4.2 随机读写存储器RAM;2、SRAM的结构及组织;;3 标准静态RAM集成电路; Intel 6264 8K×8(为何这样设计);存储器的结构;;;Intel 62256 32K×8 (自我设计);二、动态读写存储器DRAM;2 动态RAM集成电路;;三、高集成度DRAM及新型内存条;;4.3 只读存储器ROM;一、掩模ROM;二、 可擦除可编程的EPROM;2、编程与擦除;3 典型的EPROM芯片;Intel 27C256;;三、电可擦除可编程序的EPPROM ;1、典型芯片28C64;;2、 快擦型存储器(Flash Memory) ;;;4.4 存储器与CPU接口的基本技术;;3.存储器组织和地址分配;;位数扩充;字节容量;多存储库结构;;二、CPU与存储器的连接;;;例:Intel RAM芯片6264容量为8K×8,用2片6264组成16K×8的存储器系统。;;;;;;3) 不同存储器的扩展示意;ROM的扩展;DRAM的扩展;2、 8位CPU与存储器接口;;;;;;;;与8086 CPU相连的是用两个512KB的存储体,分别称为低位存储体和高位存储体:;;;;;4.5 高速缓冲存储器Cache;;二、 Ca
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