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第十五章 场效应导言 J-FET和MESFET ;图15-2 结型场效应晶体管; 图15.3 MOS场效应晶体管;图15.9 现代的外延层J-FET的透视图; 为分析J-FET的基本工作原理，首先设定一个标准的偏置条件。VG?0:pn结总是0偏或反偏 VD?0：确保n区电子从源端流向漏端。 通过系统地改变端电压来分析器件内发生的变化。;首先假设VG=0，分析VD逐渐增加时，从S-D的电流ID的变化 （1） VD=0 ：器件处于热平衡，p+n结存在很小的耗尽区 （2）VD缓慢增加一个较小的电压，会有电流流过n区沟道， 沟道就像一??纯电阻，ID随VD的增加线性增加。 （3）当VD增加到零点几伏以上时，由于从S到D逐渐增大，导 致顶部和底部的耗尽区会逐渐扩大，沟道变窄，使沟道电 阻逐渐增大，ID-VD 曲线的斜率将会减小 （4）不断增大漏电压，直到靠近漏 端附近的顶部和底部的耗尽区最终 连接到一起，此时沟道完全耗尽， 这一条件称为“夹断”，所对应的漏 电压称为“夹断电压VDsat” (5) 当VDVDsat后，随VD的增加，ID基本 保持不变，达到饱和 ;VG=0时J-FET的各种工作状态示意图;图15.12 ID-VD特性曲线 （a)线性 漏电压很小 （b) 沟道变窄导致斜率变缓 中等漏电压 （c)夹断和饱和现象 VD?VDsat;VG0时ID-VD特性曲线会有什么变化？ （1）VG0,即使VD=0,顶部和底部的p+n结都处于反偏,增加 了耗尽层宽度，而使沟道的宽度变窄，沟道电阻变 大，使ID-VD曲线中线性部分的斜率变小。 （2）栅极加负偏压VG0时，夹断电压VDsat变小。 （3）对于较大的负偏压VG，即使VD=0，也可能使整个沟道 都处于耗尽状态。当VD=0，使整个沟道完全耗尽的栅 电压VG=VP称为“夹断栅电压”。对于VGVP， 在所有 漏偏压下漏电流等于0。（如果没有击穿现象发生时）;三、定量的ID-VD关系;基本假设： （1）p+n结是突变结，n区均匀掺杂浓度ND。 （2）器件关于x=a平面上下对称 （3）电流限制在n区的非耗尽部分且只考虑y方向上的分量 （4）W(y)=a也不会使p+n结击穿 （5）从源端到y=0和从y=L到漏端的电压降可忽略不计。 （6）La ;n=ND， 扩散电流分量较小;ID与y无关;VA=VG-V（y)是位于给定点y处pn结上的电压降。 当VD=0, VG=VP时， W=a 代入上式得出：;结论： 夹断前;沟道漏端出现夹断：即V（L）=VDsat，W?a, 代入下式;图15.16理论计算得到的ID-VD曲线;改进的J-FET模型，包括了有效沟道和源/漏之间的体内电阻;四、交流响应;15.3 MESFET;MESFET分为耗尽模式（D-MESFET）和增强模式（E-MESFET）;短沟效应;（2）饱和速度模型;（3）两区模型 在0?y?y1, 长沟道理论成立 在y1?y?L，饱和速度模型;15.2;;第十五章;(c); VGB=0，所以