微通道散热技术.docVIP

导体激光器散热技术研究及进展 程东明，杜艳丽，马凤英，段智勇，郭茂田 (郑州大学物理工程学院电子科学与技术系，郑州450052) 1 引言 近年来，大功率半导体激光器行到迅速发展。半导体激光器在各种占空比下，峰值功率越来越高，连续工作时功率越来越大。为了得到更大的功率，人们逐渐发展和研究列阵和有更高功率的叠阵。但是，随着半导体激光器列阵及叠阵功率的增加，导体激光器在各种占空比下，峰值功率越来越高，连续工作时功率越来越大。为了得到更大的功率，人们逐渐发展和研究列阵和有更高功率的叠阵。但是，随着半导体激光器列阵及叠阵功率的增加，器件的散热也变得更加困难起来[1]。实验结果表明，半导体激光器的阈值电流密度、输出光功率、微分量子效率、激光器光谱与温度有密切的关系[2]。所以，研究半导体激光器的散热问题是一项非常有意义的工作。 2 研究半导体激光器散热的重要性 2．1 温度与阈值电流密度的关系 量子阱激光器与温度的关系主要是由于增益系数和漏电流与温度的关系引起的。(折射率阶跃、端面反射率、自由载流子吸收损耗、散射损耗和耦合损耗随温度变化的影响忽略不计。)各种温度下的阈值电流与温度变化的关系如图1。 拟合后的关系曲线满足的关系式为： Ith(T)=171．55+143．exp(T/93．20) 半导体激光器的阈值电流密度与温度的关系表达式： 其中，Jth(T)表示室温下的阈值电流密度，