肖特基与欧姆接触.pdf

94 學年度第二學期 無機與有機光電半導體材料與元件-期末報告 The formation of Schottky and Ohmic contact in semiconductor 組員：蕭傑予、李鴻昌 一． Schottky contact: 1.Definition ： Metal-semiconductor contact having a large barrier height and a low doping concentration. 2.整流介紹：以 n-type 半導體為例 equilibrium forward bias reverse bias 順偏有大量電子流從 n-type 半導體流入 metal 逆偏則兩邊的電子流都超小 數學推導如下 二. Ohmic contact: 1.Definition ： Metal-Semiconductor contact that has a negligible contact resistance relative to the bulk or series resistance of the semiconductor. 2.Specific contact resistance ： (1)With low doping concentrations, thermionic emission dominates the current. 2 - q φBn [ qV/kT ] J =⇒A * T exp( ) e - 1 n kT 由公式知Φ Bn越大Rc越大 ,但是在low doping concentrations可以看出和ND無關 (2) With high concentrations, tunneling dominates the current. 由公式知Φ Bn越大Rc越大,ND越大則Rc越小, 表示ND越大tunneling current越大,導致Rc 變小 三. Manufacture: 1. Schottky contact 因元件的表面會有表面能態 (surface state)密度累積電荷的緣故而產生空乏 區，這種空乏區稱為表面空乏區。由於表面空乏區的存在，使得電子所能流通 的電阻增加或電流減少等不佳的效果。為了避免這種情況的發生，採用閘極掘 入的方式，使電晶體能在已掘入之閘極下面的真正主動區工作，以求將表面空 乏區的影響減少至最低。掘入製程主要是用濕蝕刻的方式來進行；最後再鍍上 金屬閘極即完成 Schottky contact的製作。 Surface states ：Because of the abrupt discontinuity of the lattice structure at the surface, a large number of localized energy states or generation-recombination center may be introduced at the surface region. 2. Ohmic contact Ohmic contact 是指沒有整流效應的低電阻金屬 / 半導體接觸。理論上來 講，只要選擇金屬功函數小於 N型半導體功函數 (Φm ＜Φs)或大於 P型半導體的 功函數(Φm ＞Φs) ，就可以製作出歐姆接觸。但實際上金屬/ 半導體的能障高度 受半導體表面複雜的影響 (dangling bonds 、surface states) ，並且做毆姆接觸電 極的材