《太阳能电池基础与应用》太阳能电池第四章1.docxVIP

第四章 太阳电池基础 4.1 光生伏特效应 太阳电池的性能表征 4.2 4.3 光生载流子的浓度和电流 4.4 太阳电池的伏安特性 4.5 太阳电池的测试技术 太阳电池的效率分析 4.6 4.1 光生伏特效应 太阳电池基本结构 以晶体硅太阳电池为例。 （1）以p型晶体硅半导体材料为衬底； （2）为了减少光的反射损失，常制作绒面减反结构 （3）采用扩散法在硅衬底上制作重掺杂的n型层 （4）PECVD生长SiO 2减反层 （5）在n型层上面制作金属栅线，作为正面接触电极 （6）在衬底背面制作金属膜，作为背面欧姆接触电极 4.1 光生伏特效应 半导体吸收光子产生电子空穴对，电子空穴对在p-n结内建电场 作用下分离，从而在p-n结两端产生电动势。 Electric Field p-n结是太阳电池的核心 光生载流子形成一个与热平衡结电场方 向相反的电场，使得势垒降低； 光生电流与正向结电流相等时，pn结建 立稳定的电势差，即光生电压 4.1 光生伏特效应 载流子运动的角度 太阳电池工作原理：当太阳光照射到太阳电池上并被吸收时，其中 能量大于禁带宽度E g的光子能把价带中电子激发到导带上去，形成 自由电子，价带中留下带正电的自由空穴，即电子—空穴对，通常 称它们为光生载流子。自由电子和空穴在不停的运动中扩散到p-n结 的空间电荷区，被该区的内建电场分离，电子被扫到电池的n型一例， 空穴被扫到电池的p型一侧，从而在电池上下两面（两极）分别形成 了正负电荷积累，产生“光生电压”，即“光伏效应”。如果在电 池的两端接上负载，在持续的太阳光照下，就会不断有电流经过负 载。这就是太阳电池的基本工作原理。 4.1 光生伏特效应 能带的角度 持续光照条件下，大量的光生载流子产生，光生电子和空穴被源源不断 地分别扫到n型和p型一两侧，致使n区和p区费米能级的分裂，若太阳电 池断路，光生电压V即为开路电压Voc。若外电路短路，pn结正向电流为 零，外电路电流为短路电流，理想情况下也就是光电流。 4.1 光生伏特效应 材料带隙 35 黑体极限AM0 30 AM1.5 25 20 15 GaAs CU2S Si AM0 CdS 10 T=300k 5 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 一般太阳电池最常用的半导体材料的带隙在1～2 eV之间。而在 1.4 eV左右可获得最高的光电转换效率。 4.1 光生伏特效应 理想太阳能电池材料特性 ? 直接带隙半导体，带隙在1.1eV到1.7eV之间 ? 组成的材料无毒性，在地球上丰度高 ? 便于制备，并可大面积、薄膜化生产 ? 有较高的光电转换效率 ? 较好的力学性能，便于加工 ? 性能稳定，耐候性好，具有长期稳定性 4.2 太阳电池的性能表征 太阳电池是恒流源，普通电池是恒压源 4.2 太阳电池的性能表征 黑暗条件下，太阳电池就是一个普通的二极管，具有整流特性， 在正向电压下会产生暗电流，如果太阳电池处于热平衡状态， 暗电流满足肖克莱方程。 所谓暗电流指的是光伏电池在无光照时，由外电压作用下P-N 结内流过的单向电流。 J (V) dark ? qV/k T J (e - B a 0 1) J 0 ? 2 qD n e i L N e A ? 2 qD n h i L N p d J0 V 反向饱和电流J0是pn结在反向电压下、 还没有达到击穿时的电流 4.2 太阳电池的性能表征 太阳电池等效电路 不考虑寄生电阻时 太阳电池=恒流源+二极管 光照下，存在光吸收，产生光电 流Jsc；另一方面，光生电压对于 二极管相当于正向偏压，正向偏 压下通过二极管的电流 Jph 不考虑寄生电阻时 如太阳电池与负载接成通路，通过负载（外电路）的电流为 J(V) ? J ph - J (V) dark 与光生电流Jph方向相反。 J ? J ph ? J (e qV/k T B 0 - 1) 4.2 太阳电池的性能表征 太阳电池伏安特性中的电流，是方向 相反的光生电流Jph (Jph=Jsc)和暗电流 I Jdark的叠加。 暗特性 J(V) ? J ph - J (V) dark O VOC Vmp V J ? J ph ? J (e qV/k T B 0 - 1) Iph 输出功率 Imp Isc 伏安特性是光生电流Jph 和暗电流Jdark的叠加 4.2 太阳电池的性能表征 开路电压Voc pn结开路情况下(RL=∞)， 此时pn结两端的电压即为 开路电压Voc（与光谱辐照强度 有关，与电池面积大小无关，随 温度升高，开路电压下降） J Jsc Jm 短路电流 最大功率 输出点 1 Rm 电压开路 Vm Voc V pn结开路，则J=0 电池能提供的最大电压，与？？？有关， Jph 包括： 载流子运动/能带的角度如何理