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集成电路制造生产实习 集成电路制造生产实习 集成电路制造生产实习 集成电路制造生产实习报告 工艺原理 氧化 在集成电路工艺中,氧化就是必不可少的一项工艺技术。自从早期人们发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在SiO2的扩散速度比在Si中的扩散速度慢得多, SiO2膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模,并促进了硅平面工艺的出现。同时在Si表面生长的SiO2膜不但能与Si有很好的附着性,而且具有非常稳定的化学性质与电绝缘性。因此SiO2在集成电路中起着极其重要的作用。 在平导体器件生产中常用的SiO2膜的生长方法有:热生长法、化学气相沉积法、阴极溅射法,HF一HNO3气相钝化法、真空蒸发法、外延生长法、阳极氧化法等。在深亚微米IC制造中,还发展了快速加热工艺技术。选择何种方法来生SiO2层与器件的性能有很大关系。 SiO2在器件中可以起到的作用有作为MQS器件的绝缘栅介质;作为选择性掺杂的掩模;作为缓冲层;作为绝缘层;作为保护器件与电路的钝化层等。 Si的氧化过程就是一个表面过程,即氧化剂就是在硅片表面处与Si原子起反应,当表面已形成的SiO2层阻止了氧化剂与Si的直接接触,氧化剂就必须以扩散的方式穿过SiO2层、到达SiO2一Si界面与Si原子反应,生成新的SiO2层,使SiO2膜不断增厚,同时SiO2一Si界面向Si内部推进、 扩散 在一定温