激光技术应用1详解.pptVIP

采用 Co / Pt 多层磁光膜 为记录材料的近场探针存储 , 记录线宽可以达到 10~50nm ，相应的理论 存储密度可以 达到 15.5GB/cm 2 以上 . 近场探针存储 : 为解决 探针移动速度 问题，又发展了 近场探针存储（ SIL 存储） , 虽然只能够得到 100 nm 左右的存储光斑 ，但存储密度提高了好几倍 , 达 到 6.2 GB/cm 2 以上 . 采用 浸没透镜系统 的数据存储密度达到 550 MB / cm 2 . 采用 覆金属光纤系统 的数据存储密度约可达到 7GB/cm 2 . 但近场探针和固体浸没透镜存储方案存在近场 间距 控制 的技术难题 ! 近场光学探针 孔径型 散射型 演 示 探针尖端在工作时处于 受迫振动 状态，其频 率接近于探针的共振频率。 探针尖端在 受样品原子的范得瓦尔斯吸引力 的作用时，其共振频率发生变化，因而振幅也 随之改变。 为了跟踪尖端的振动情况，将一束 激光分成两束，其中一束通过棱镜反射，另一 束则穿过布喇格室，然后从探针背面反射回来 . 这两束光重新会合后发生干涉，根据干涉的情 况可知探针振动的变化情况。 据此可探知试样表面的原子起伏情况。可检 测出尺度小至 5 毫微米的表面起伏变化 近场光存储原理 I 孔径型 近场光存储原理 II 散射型 近场超分辨率结构存储（ Super-RENS ）方案 : 将非线性光存储和近场光存储结合起来，较好地 解决了远场光衍射分辨率和近场光间距控制的矛盾。 它通过 光盘内 具有 非线性选通效应的近场间隔层 使记 录光斑小于读写光斑，利用远场光实现了近场记录 （实验上已经得到了 300 nm (30 dB ）左右的光斑 ）， 并解决了近场存储与光盘系统兼容性的问题，是一种 很有前景的海量存储技术。 随着相关物理科技、微电子技术、材料科学、化 学及制造技术的不断进步，新的光存储技术将不断发 展，数据存储密度和数据传输率等性能还将不断提高 . 用一根钨探 针或硅探针 在距试样表 面几毫微米 的高度上反 复移动 , 来探 测固体表面 的情况。 试样通常是 微电子器件。 原子力 显微镜下的大肠杆菌 扫描近场光学显微镜 ( NSOM) ? 光学听诊器 利用 隐失 波可 检测 物体 表面 100 nm 范围 内的 原子 , 分子 变化 . 用于检查微电路成品，检查制作微电路用的硅表面的质量。 随着微电子电路技术的进展，硅基片表面的不平坦度如果超过 几个原子厚度就将被认为是不合格的。 什么是隐失波？ 隐失波 Evanescent Wave , P.165 例 3.2 o x z 古斯 - 汉森位移 隐失波原理 ) ( ) ( t i sin z k i cos x k i t r k i e A e A E ? ? ? ? ? ? ? ? 2 2 2 2 2 20 20 2 ? ? ? ? ? 在入射平面（ xoy ）内，透射的折射波： 由折射定律： 2 1 1 2 2 2 1 2 2 2 1 1 / i sin n n i sin i cos ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 全反射时： ? ? 2 1 1 2 2 2 1 2 / c i sin i sin n n i cos ? ? 如果： c i i ? 1 ? ? 2 1 2 1 2 2 1 2 / c i sin i sin n n i i cos ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ) ( ) ( t i sin n n z k i i sin i sin n n x k exp A E c ? 1 2 1 2 2 1 2 1 2 2 1 2 20 2 ? ? 所以： 隐失波光强与界面入射深度 d p 的关系 2 令： 1 2 1 2 1 2 2 1 2 ) ( ? ? ? ? ? ? ? ? ? c p i sin i sin n n k d 得： ) ( 20 2 1 2 1 2 t i sin n n z k i d x e e A E p ? ? ? ? ? ? 2 2 1 2 2 1 2 n i sin n ? ? ? l x p d 隐失波深度和波长、入射能量的关系 实验装置 1 实验装置 1 b 实 验 进 展 Confocal detection 若丹名单分子光谱 Dibenzanthanthrene (DBATT) 分子的荧光光