同步整流TrainingDQE知识讲解.pptVIP

開關電源中的同步整流技術;引言 ;Vo(V);幾種常見的副邊整流電路 ;幾種常見的副邊整流電路 ;幾種常見的副邊整流電路 ;幾種常見的副邊整流電路 ;MOSFET半波整流(SR)原理波形 ;MOSFET全波整流原理波形 ;倍流整流电路的原理分析 ;倍流整流拓扑及其原理波形 ;（1）t0—t1：变压器副边绕组上为正压，SR2处于导通状态，SR1处于关断状态,电感L1上电流上升，L2上电流下降。对应如下关系式：VL1=V2－V0=L1（1）VL2=－V0=L2（2） （2）t1—t2：变压器副边绕组电压为零，整流管SR1、 SR2都导通。通过电感L1、L2的电流都在减小，处于续流状态。对应关系式为VL1=－V0=L1（3）VL2=－V0=L2（4） （3）t2—t3：变压器副边绕组上为负压,功率管SR1 处于导通状态，SR2处于关断态，电感L1上电流下降，L2上电流上升。对应关系式为：VL1=－V0=L1（5）VL2=V2－V0=L2（6） ;（4）t3—t4：变压器副边绕组电压为零，整流管SR1、SR2都导通。通过电感L1、L2的电流都在减小，处于续流状态。对应电路方程与t1—t2时段相同。 在一个完整的开关周期Ts中，通过电感L1、L2的电流，都是在各自的0～DTs时间段内增加；在（1－D）Ts时间段内减小，且两段时间内电流增加量与减小量相等。对应如下关系式：L=V2－V0，L=V0，Δi(＋)=Δi(－) 整理后可得： V0=DV2(7) ; 实质就是两个电感的交错并联。电感L1与L2上的电压和流过电流相位相差180°，在变压器副边绕组电压非零时，流过L1、L2的电流一增一减，实现了iL1、iL2的纹波电流互消，从而使总的负载电流（i0=iL1＋iL2）纹波大大减小。在输出电压纹波要求相同的情况下，这种倍流整流方式使得L1、L2显著减小，加快了功率级的动态响应。  电感L1、L2电流波形相差180°，其合成电流（i0=iL1＋iL2）纹波峰峰值与iL1、iL2纹波峰峰值的关系，用电流互消比例K12表示，K12与占空比D有关，关系式如下：K12=2－（D≤0.5）（8）  其对应的关系如下图所示。从图中可以直观地看出，当D=0.5，即V2=2V0时，才有完全的纹波互消作用（输出电流实现零纹波），D偏离0.5越远，纹波互消作用越差。当D=0.25时，纹波互消比例只有67％。因此，在倍流整流拓扑中，为了利用其纹波互消作用，希望D在0.5附近。 ;电感电流纹波互消作用示意 ;特别需要指出的是，倍流整流拓扑这一电路形式特别适合于应用磁集成技术。一般可采用两种集成思路：两只电感集成在一只磁芯上，以及两只电感和变压器集成在一只磁芯上。在倍流整流拓扑中，虽然由电感电流交错合成后的电流纹波较小，但分别流过分立电感L1、L2上的电流纹波却较大，因此在采用分立电感元件时，对应每只电感的磁通脉动量较大，引起较大的磁芯损耗，影响整机效率；把电感L1、L2集成在一只磁芯上（如EE或EI型），电感绕组分别绕制在两只外腿上，对应的磁通在中心柱上交叠，可以实现磁通脉动量的互消作用，从而大大减小中心柱的磁芯损耗和磁芯体积。对应的示意图如图9所示更进一步，可把三个分立磁性元件集成在一只磁芯上[10]，如图10所示，同时实现了磁芯和绕组的集成，从而大大减小了磁性元件所占的总体积，简化了布局及封装设计，与半波、全波整流相比，具有显著的优越性。 ;磁通脉动互消作用示意 ;三个分立磁性元件的集成 ; 同步整流MOSFET驱动方式 同步整流驱动方式主要分自驱动型和外驱动型两类，而自驱动型又分为电压型和电流型两种。  电压型自驱动同步整流电路简单，驱动信号多直接取自主变压器,其缺點是: 門極驅動電壓Vg未必是常數,它與占空比幾輸入電壓有關.黨占空比幾輸入電壓變化範圍太大時, Vg太大,或太小. 电流型自驱动同步整流电路较复杂，但驱动同步性好(说俗点：该通肯定通；该关马上关)，除纯直流场合没有优势外，只要该用低压整流管的场合，都可以直接使用。 其中外驱动型是以外部驱动信号(如驱动开关管的PWM波;專用IC,经驱动变压器产生)来驱动MOS管，做同步整流管驱动信號;其缺點是:需要有控制檢測,定時邏輯,同步變換器以及高速驅動電路等,比較複雜,價格貴,開發週期長等,一定程度上限制了外驅動同步整流方式的廣泛應用.;电压型自驱动同步整流电路;电流驱动同步整流技术 ;外驱动同步整流技术 ;副邊形成短路回路;STS