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各种拓朴的同步整流技术 龚斌 gongbin20081 1511001 电源网第二十一 内容简要 2，同步整流 的分类（ 驱动方 1，前言 2.1自驱动同步 2.2辅助绕组驱 整流 动的同步整流 1，前言 ? 从二十世纪末，由于MOSFET技 SIR404DP 术大幅度进步，使得MOSFET的 导通电阻已经达到低于2mΩ， 开关速度小于20ns。 ? 有的使用氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)器件并没有体二极管 反向恢复(QRR),这使得DC/DC变 换器中只要采用同步整流技术， 初级即使不用软开关技术，也能 给开关电源效率带来了巨大的提 升。效率提升的百分点高达 3%~8%，比软开关技术带来的效 率提升要高得多，而且没有多少 专利技术的限制。 前言 　　 同步整流技术在使用上面早已 不再局限于2.5V、3.3V、5V这些低 输出电压领域，现在上至12V， 15V，19V，24V至2 乎都在使用同步整 下面我就来介 整流技术的优、缺 2.1，自驱动同步整流 1，这是最早的方法，也是最简单和成 本最低廉的技术。 2，在输入电压典型值附近工作时，效 果十分明显，在高端时，效率变差而且 容易损坏MOSFET。 3，有的自驱动同步 出电压的限制。 自驱动同步整流 反激 单晶正激 推挽 自驱动同步整流 反激拓朴的同步整流电路 电流型自驱动 自驱动同步整流 反激拓朴的同步整流电路 ＰＣＢ 实物图 自驱动同步整流 反激拓朴的同步整流电路 自驱动同步整流 反激拓朴的同步整流电路 自驱动同步整流 正激拓朴的同步整流电路 双晶正激拓朴的同步整流实用电路（ 自驱动同步整流 有源箝位拓朴的同步整流电路 Vin=18V,Vo=5V,续流管漏极波形 有源箝位正激拓朴的同步整流实用电路（VO=3.3 自驱动同步整流 有源箝位拓朴的同步整流电路 有源箝位正激拓朴的同步整流 自驱动同步整流 有源箝位拓朴的同步整流电路 ＰＣＢ 实物图 自驱动同步整流 有源箝位拓朴的同步整流电路 VO=5V，IO=0A VO=5V，IO=3A 1通道为续流MOSFE 2通道为续流MOSFE 3通道为整流MOSFE 4通道为整流MOSFE 自驱动同步整流 半桥拓朴的同步整流电路 PMOS 自驱动同步整流 半桥拓朴的同步整流电路 2.2，辅助绕组驱动的同步整流 　　为了防止高端输入时同步整流的 MOSFET栅极上的电压过高，改用从二次 绕组中增加驱动绕组的方式。 该方式可以有效地调节驱动同步整 流的MOSFET的栅压， 的合理区域，从而保 了电源的可靠性，此 5V扩展到24V。 辅助绕组驱动的同步整流 反激 推挽 辅助绕组驱动的同步整流 Q5，Q5A的D，S需对调 双晶正激，PFC之后390VDC输 辅助绕组驱动的同步整流 全桥拓朴，PFC之后39 辅助绕组驱动的同步整流电路 初级为全桥拓朴的同步整流(BUS Converter) 2.3，控制IC方式的同步整流 为了提高驱动同步整流MOSFET的效 果，从而设计了各种模式的同步整流的 控制驱动IC。 1，控制IC驱动技术能克服自驱动技术的所带来的局限性。 2，减少或消除体二极管导通， 减小反向恢复损耗。 3，栅驱动电压可设置在最佳电 4，可以更加智能化控制（轻载 检测栅驱动技术等）。 控制IC方式的同步整流 IR1167 主要特色有： * 适应反激变换器的DCM，CRM及CCM三种模式工 作。适应LLC式半桥。 * 最高500KHz工作频率。 * 2A源出5A漏入的输出驱动 * 栅驱动输出电压在10.7V到 * Vcc电压从11.3V到20V。 * 50ns关断比例延迟。 * 直接检测MOSFET的源漏电 控制IC方式的同步整流 IR1167反激同 控制IC方式的同步整流 IR1167 LLC同步 控制IC方式的同步整流 IR1168 IR1168 LLC同步 控制IC方式的同步整流 NCP4303 其主要特点如下： · 能用于各种拓朴，诸如反激(CCM，DCM，QR)、正激、半桥及 LLC电路的同步整流控制。 ·工作电压范围从10.4V~28V，最高30Ｖ。 ·精确的二次侧零电流检测技术，零电流检测端能耐压到200V。 ·自动的用寄生电感补偿输入。 ·典型40nS关断延迟，从电流检测输 ·具有禁止输入，进入待机或低功耗 ·可调独立于VCC水平的最小导通/ ·5A/2.5A峰值电流漏入，源出水平 ·栅驱动电压内部箝制为12V（NCP ·低的起动及待机电流。 ·最高工作频率可达500KHZ。 控制IC方式的同步整流 NCP4303A用于反激的同步整流电路 控制IC方式的同步整流 NCP4303B用于LLC的同步整流电路 控制IC方式的同步整流 UCC24610 主要特色如下： *高达600kHz