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第十章 气相沉积技术;气相沉积技术;* by Jing Liang;薄膜材料制备方法;物理气相沉积;化学气相沉积;气相沉积的特点;气体沉积的物理基础;气相沉积中的形核与生长;气相沉积中的生长方式;气相沉积层的组织结构;物理气相沉积(PVD);真空蒸发镀膜（PVD）;真空镀膜装置;蒸镀工艺;蒸发源;蒸发源装置示意图;溅射镀膜（PVD）;溅射镀原理;影响溅射率的因素;溅射镀的特点;溅射设备;* by Jing Liang;离子束溅射;* by Jing Liang;脉冲激光溅射沉积（PLD）;PLD示意图;PLD的特点;PLD制备PZT膜;膜成分的控制;膜成分的控制;化学气相沉积技术CVD;CVD 实现的条件;CVD的基本过程;CVD的基本原理;CVD的工艺方法;CVD薄膜的特征;常压化学气相沉积;激光化学气相沉积（LCVD）;* by Jing Liang;激光光解CVD;激光光解CVD过程;激光光解CVD;LCVD的发展概况;LCVD的特点;LCVD设备;反应沉积室;LCVD设备;激光系统;LCVD设备;LCVD制备硅及硅基膜;光解LCVD制备Si膜;* by Jing Liang;成膜工艺及最佳参数的确定;反应气流场;激光功率密度、辐照时间对沉积的影响;沉积膜厚度与激光参数关系;沉积区温度对沉积速率的影响;反应沉积室气体压力对沉积速率的影响;反应气配比和辅助气与膜层称分的关系;膜层的形貌、成分及组织结构;膜层的形貌、成分及组织结构;膜层的性能及应用;复合LCVD制备金刚石膜;复合LCVD制备金刚石膜;高纯金刚石膜沉积条件及其确认;影响金刚石沉积的主要工艺参数;复合激光的作用及沉积机制
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