非常好：高压栅极驱动器自举电路设计.doc

使用说明书 AN-6076 1. 引言 本文讲述了一种运用于功率型 MOSFET 和 IGBT 设计高 性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率， 大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子 工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功 耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述 IN V HO 的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。自举式电 VS 源是一种使用最为广泛的，给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的高端栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源 技术具有简单，且低成本的优点。但是，它也有缺点， 图 1. 高端驱动集成电路的电平转换器 一是占空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制，二 2.2 自举式驱动电路工作原理 是当开关器件的源极接负电压时，会发生严重的问题。 本文分析了最流行的自举电路解决方案；包括寄生参 数，自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。 2. 高速栅极驱动电路 2.1 自举栅极驱动技术 本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中，功率型 MOSFET 和 IGBT 对自举式栅极驱动电路的要求。当输 自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工 作原理如下。当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地 时 （低端开关导通，高端开关关断），电源 VDD 通过自 举电阻， RBOOT，和自举二极管， DBOOT，对自举电容 CBOOT，进行充电，如图 2 所示。当 VS 被高端开关上拉 到一个较高电压时，由 VBS 对该自举电容充电，此时， VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压 （低 端开关关断，高端开关导通）和 IC 电源电压 VDD，被 隔 离开。 入电平不允许高端 N 沟道功率型 MOSFET 或 IGBT 使用 直接式栅极驱动电路时，我们就可以考虑自举式栅极驱 RBOOT DBOOT ??⑤ 动技术。这种方法被用作栅极驱动和伴发偏置电路，两 VB 者都以主开关器件的源极作为基准。驱动电路和偏置电 路都在相对于器件源极的两个输入电压之间摆动。但 是，驱动电路和它的浮动偏置可以通过低压电路实现， VDD VDD HO Q1 CBOOT VS ILOAD 因为输入电压不会作用到这些电路上。驱动电路和接地 控制信号通过一个电平转换电路相连。该电平转换电路 COM LO Q2 ?? 必须允许浮动高端和接地低端电路之间存在高电压差和 一定的电容性开关电流。高电压栅极驱动 IC 通过独特的 电平转换设计差分开。为了保持高效率和可管理的功 图 2. 自举式电源电路 耗，电平转换电路在主开关导通期间，不能吸收任何电 流。对于这种情况，我们经常使用脉冲式锁存电平转换 器，如图 1 所示。 ? 2008 飞兆半导体 Rev. 1.0.0 ? 6/8/09 AN-6076 使用说明书 2.3 自举式电路的缺点 2.4 VS 引脚产生负电压的原因 自举式电路具有简单和低成本的优点，但是，它也有一 些局限。 如图 5 所示，低端续流二极管的前向偏置是已知的将 VS 下低到 COM （地）以下的原因之一。 占空比和导通时间受限于自举电容 CBOOT，刷新电荷所 需时间的限制。 主要问题出现在整流换向期间，仅仅在续流二极管开始 箝压之前。 这个电路最大的难点在于：当开关器件关断时，其源极的 负电压会使负载电流突然流过续流二极管，如图 3 所示。 在这种情况下，电感 LS1 和 LS2 会将 VS 压低到 COM 以 下，甚至超过如上所述的位置或正常稳态。 该负电压会给栅极驱动电路的输出端造成麻烦，因为它 该负电压的放大倍数正比于寄生电感和开关器件的关断 直接影响驱动电路或 PWM 控制集成电路的源极 VS 引 脚，可能会明显地将某些内部电路下拉到地以下，如图 4 所示。另外一个问题是，该负电压的转换可能会使自举 电容处于过压状态。 速度，di/dt ；它由栅极驱动电阻，RGATE 和开关器件的 输入电容， Ciss 决定。 Cgs 和 Cgd 的和，称为密勒电容。 自举电容 CBOOT，通过自举二极管 DBOOT，被电源 VDD 瞬间充电。 VCC DBOOT 由于 VDD 电源以地作为基准，自举电容产生的最大电压 等于 VDD 加上源极上的负电压振幅。 ?? IN VB VDC CBOOT Q1 ??⑤ CDRV VDD HO A B RGATE LS1 iLOAD GND VS C C VDD VB HO Q1 催ッ? LS2 D1 iFree COUT VOUT HIN HIN iLoad LIN LIN VS ifree 图 5. 降压转换器 COM LO Q2 ???? 图 6 描述了高端 N 沟道 MOSFET 关断期间的电压波形。 图 3. 半桥式应用电路