详细版金属半导体和半导体异质结.pptVIP

., * ., * ??随着电场强度和反偏电压的增大而增大，反偏电流随反偏电压的增加而增加。 ., * ., * Figure 9.9 ., * 9.1.5肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较 pn结二极管 肖特基 虽然J-V特性的形式非常相似，但反向饱和电流密度的公式有很大区别，两种器件的电流输运机构是不同的。Pn结的电流是由少数载流子的扩散运动决定的，而肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃过内建电势差而形成的。 JsTJS, ., * Figure 9.10 ., * ., * 2.两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的开启电压低于pn结二极管的有效开启有效开启电压。 3.二者的频率响应特性，即开关特性不同。 pn结从正偏转向反偏时，由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除，开关速度受到电荷存储效应的限制；肖特基势垒二极管，由于没有少数载流子存储，可以用于快速开关器件，开关时间在皮秒数量级，其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。工作频率可高达100GHz.而pn结的开关时间纳秒数量级 ., * MS可以用来加快BJT的瞬态关断过程。称为肖特基二极管的钳制。它的作用是，当BJT在开启状态进入饱和模式时，MS二极管导通并把CB结钳制到相对低的正偏压下，这种方法利用了MS能比pn结的导通电压低这一特点。这样CB结可以维持在一个相对较低的电压上，在BJT中可以有最少的电荷储存。所以关断的时间显著减少。 肖特基二极管钳制npnBJT的电路图 ., * 9.2 金属半导体的欧姆接触 金属与n型半导体接触：?m ?s 电子从S流向M没有势垒，反之，仅有一小的势垒 ., * ?M?s，欧姆接触 正偏： 电子从半导体流向金属没有遇到势垒， VA0, 就会有很大的正向电流 反偏：电子从金属流向半导体会遇到小的势垒，反偏 电压VR大于零点几伏，势垒就会变为0，在相对 较小的反偏电压下，会有很大的电流。且电流 不饱和 结论：?M?s形成欧姆接触 实际要形成欧姆接触时，要求半导体重掺杂，使空间电荷层很薄，发生隧道穿透。 ., * 第九章 金属半导体和 半导体异质结 ., * 第九章 金属半导体和半导体异质结 9.1 肖特基势垒二极管 9.2 金属半导体的欧姆接触 9.3 异质结 ., * 9.1 肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管示意图 ., * 9.1.1 性质上的特征 金属 N型半导体 金属和n型半导体接触前的平衡态能带图 ., * 基本概念 真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数：从费米能级到真空能级的能量差 电子亲和势：真空能级到价带底的能量差 金属的功函数 半导体的亲和势 半导体的功函数 ., * 画能带图的步骤： 1. 画出包括表面在内的各部分的能带图 2. 使图沿垂直方向与公共的E0参考线对齐，并通过 公共界面把图连起来 3. 不改变半导体界面能带的位置，向上或向下移动 半导体体内部分的能带，直到EF在各处的值相等 4. 恰当地把界面处的Ec, Ei, Ev和体内Ec, Ev, Ei连接起来 5.去除不重要的 ., * Figure 9.1 ?m?s 两个方向都存在电子流动的势垒 ., * ?B0=?m-? 金属中的电子向半导体中运动存在势垒?B0 叫做肖特基势垒。 半导体导带中的电子向金属中移动存在势垒Vbi ，Vbi就是半导体内的内建电势 ., * 外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二者之差等于外加电压引起的电势能之差。 金属一边的势垒不随外加电压而变，即：?B0不变。 半导体一边，加正偏，势垒降低为Vbi-Va 反偏势垒变高为：Vbi+VR ., * 正偏 反偏 ., * 肖特基二极管：正偏金属的电势高于半导体 ., * ?M?s，整流接触 正偏，半导体势垒高度变低，电子从S注入M，形成净电流I，I随VA的增加而增加。 反偏：势垒升高，阻止电子从S向金属流动，金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动，但这一反向电流很小。 结论： ?M?s时，理想的MS接触类似于pn结二极管、 具有整流特性 ., * 整流接触 欧姆接触 金属和p型半导体接触的平衡态能带图 7.1 金属和半导体接触及其能带图 ., * 7.1 金属和半导体接触及其能带图 金属一边的势垒高度： ., * 7.1 金属和半导体接触及其能带图 结论 n形半导体 p形半导体 WmWs 整流接触 欧姆接触 WmWs 欧姆接触 整流接触 ., * 例2：受主浓度为NA=101