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第一章 集成电路制造工艺 集成电路（IC——Integrated Circuit） 制造工艺是集成电路实现的途径，也是集成电路设计的基础。集成电路制造工艺分类1. 双极型工艺（bipolar）2. MOS工艺3. BiMOS工艺§1-1 双极型集成电路工艺(P1~5) 思考题1.与分立器件工艺有什么不同？2.需要几块光刻掩膜版(mask)?3.每块掩膜版的作用是什么？4.器件之间是如何隔离的？5.器件的电极是如何引出的？P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程?氧化?光刻n+埋层区衬底准备（P型）?清洁表面?n+埋层扩散N-N-N+N+P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续1）?隔离氧化?生长n-外延?光刻p+隔离区?p+隔离扩散?p+隔离推进、氧化P+P+P+N-N-N+N+P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续2）?硼扩散?氧化?光刻硼扩散区PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续3）?光刻磷扩散区?磷扩散?氧化PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续4）?光刻引线孔?清洁表面PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续5）?反刻金属?蒸镀金属PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续6）?钝化?光刻钝化窗口?后