硅和锗的化学制备教材课程.pptVIP

* * 半导体材料 主讲教师：李立珺 Tel: 029 Email：lilijun007@163.com 参考书目与教材: 《半导体材料》杨树人等 （教材） 《半导体材料》王季陶 刘明登主编 高教出版社 《半导体材料浅释》万群 化学工业出版社 Robert F.Pierret: Semiconductor Device Fundamentals(Part1) Donald A.Neamen: Semiconductor Physics and Devices 课程内容 锗、硅的化学制备 区熔提纯 晶体生长 锗、硅单晶中的杂质与缺陷 硅的外延生长 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的外延生长 Ⅲ－Ⅴ族多元化合物半导体 1.1 硅和锗的物理化学性质 一 物理性质比较 性 质 Si Ge 位置 Ⅳ族 Ⅳ族 原子序数 14 28 颜色 银白色金属光泽 灰色 介电常数ε 11.7 16.3 禁带宽度(室温) 1.1eV 0.67eV 本征电阻率（?.cm） 2.3?105 46 电子迁移率(cm2/V.s) 1350 3900 空穴迁移率(cm2/V.s) 480 1900 二 、 化学性质 室温下 稳定,与空气,水,硫酸(H2SO4),硝酸(HNO3) 不反应； 与强